Fabricación de dispositivos Hall

Los materiales semiconductores utilizados para fabricar los dispositivos Hall son principalmente germanio, silicio, arseniuro de galio, arseniuro de indio, antimoniuro de indio, etc. Generalmente se utilizan materiales de tipo N porque la movilidad de los electrones es mucho mayor que la de los huecos, por lo que el dispositivo puede tener una mayor sensibilidad. Algunos materiales tienen bandas prohibidas muy estrechas y un rango de temperatura de funcionamiento pequeño. Además de utilizar una pieza entera de material semiconductor para fabricar un dispositivo Hall, también se puede utilizar una película delgada para fabricar un dispositivo Hall. Deposite una película delgada sobre un sustrato aislante o utilice métodos como epitaxia o implantación de iones para crear una película delgada con un espesor de micrómetros sobre un sustrato semiconductor de alta resistividad. Los dispositivos Hall de arseniuro de galio fabricados mediante métodos de implantación o deposición de iones tienen una buena relación lineal dentro de un amplio rango de intensidad del campo magnético y pueden funcionar de manera estable dentro de un amplio rango de temperaturas. Los dispositivos Hall de película delgada producidos mediante epitaxia de silicio o métodos de implantación de iones son compatibles con procesos de circuitos integrados. Colocar dispositivos Hall, amplificadores diferenciales y otros circuitos en un chip de silicio puede reducir el tamaño, mejorar la sensibilidad, reducir el voltaje de compensación y facilitar la producción en masa.