¿Cuál tiene mayor capacidad, M o MB? ¿Cuáles son las categorías de memoria de la computadora?
Capacidad M y MB tienen el mismo significado, ambas son megas.
Clasificación de la memoria
Tipos de memoria
La memoria es una Memoria interna del PC, aquí te presentamos sus tipos. Según la legibilidad y escritura de la memoria, se puede dividir en "RAM" y "ROM". El nombre completo en inglés de RAM es "Memoria de acceso aleatorio", que se traduce al chino como "memoria de acceso aleatorio". El nombre completo en inglés de la ROM es "Memoria de solo lectura", que se traduce al chino como "Memoria de solo lectura". Actualmente se utilizan dos tipos de RAM, una es DRAM y la otra es SRAM. El nombre completo en inglés de DRAM es "Dynamic RAM", que se traduce al chino como "memoria dinámica de acceso aleatorio". El llamado "dinámico" significa que no puede mantener la energía durante mucho tiempo cuando está encendido y debe recargarse a intervalos regulares; de lo contrario, los datos se perderán debido al agotamiento natural de la energía. Sin embargo, su coste de producción es bajo y su capacidad puede ser mayor. La memoria DRAM actual utilizada en las PC puede alcanzar un máximo de 128 M. Los tipos de DRAM se dividen en DRAM normal, EDO RAM y SDRAM. Cada uno de ellos es más rápido que el otro. Actualmente, las PC de gama relativamente alta utilizan 32 M, 64 M o incluso 128 M de SDRAM.
El nombre chino completo de SRAM es "RAM estática", que se traduce al chino como "memoria estática de acceso aleatorio". La llamada "estática" significa que puede mantener la energía durante mucho tiempo cuando está encendida, por lo que no es necesario recargarla de vez en cuando. En términos generales, la velocidad de transmisión de datos de SRAM es más rápida que la de DRAM, pero debido al mayor costo de fabricación y al proceso complicado, la capacidad no se puede aumentar mucho, generalmente por debajo de 1 M. Actualmente se utilizan cuatro tipos de ROM: ROM ordinaria, EPROM, EEPROM y memoria Flash. El BIOS de las primeras placas base utilizaba ROM normal, que sólo se podía escribir una vez y su contenido no se podía cambiar. Si desea actualizar la placa base, debe reemplazarla. Posteriormente, el BIOS se fabricó utilizando EPROM. El nombre completo en inglés es "Memoria de solo lectura programable y borrable", que se traduce al chino como "Memoria de solo lectura programable y borrable". Este tipo de ROM puede utilizar escaneo ultravioleta para borrar y reescribir la información que contiene. El nombre completo en inglés de la EEPROM utilizada más adelante es "EPROM electrónica", que se traduce al chino como "memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente". Este tipo de ROM puede utilizar escaneo electrónico para cambiar el contenido de la memoria.
Actualizar los dos tipos de memorias reescribibles anteriores sigue siendo problemático. En la actualidad, la mayoría de los BIOS de las placas base están hechos de memoria flash, que en chino se traduce como "memoria flash". Generalmente se llama "memoria flash", o "memoria flash" para abreviar. Este tipo de memoria se puede ajustar directamente. el voltaje para actualizar el BIOS
Memoria caché
También llamada RAM caché, una pequeña pieza de memoria de alta velocidad al lado o conectada a la CPU (generalmente menos de 1 MB). conecta la CPU y la memoria del sistema. La memoria caché proporciona los datos e instrucciones más utilizados para el procesador. La caché de nivel 1 también se denomina caché primaria. Es la caché más cercana a la CPU y tiene una capacidad de solo 8 KB ~ 6 KB. la velocidad es bastante rápida. La caché de nivel 2 también se denomina caché secundaria. Es la caché más cercana a la CPU. Generalmente está soldada en la placa base. La capacidad es generalmente de 64 KB ~ 1 MB y la velocidad es ligeramente más lenta. >
Memoria flash - memoria flash, memoria flash
La memoria flash aún puede retener la información de los datos almacenados cuando se apaga la alimentación, pero los datos no se eliminan en bytes individuales sino en bloques fijos. El tamaño del bloque es generalmente de 256 K a 20 MB. El término FLASH fue propuesto originalmente por Toshiba debido a la capacidad de borrado instantáneo del chip. El chip de memoria flash no es costoso y tiene una gran capacidad de almacenamiento.
Las memorias flash se están convirtiendo en una alternativa a las EPROM porque se pueden actualizar fácilmente. La memoria flash se utiliza en tarjetas PCMCIA, discos flash PCMCIA, otras formas de discos duros, controladores integrados y SMART MEDIA. Si la memoria flash u otros derivados relacionados pueden borrar un byte dentro de un cierto período de tiempo, eso conducirá a la llegada de RAM permanente (no volátil).
EDO DRAM (DRAM de salida de datos extendida): memoria dinámica de salida de datos extendida.
Algunas también se denominan DRAM en modo Hyper Page. El método de lectura EDO cancela el intervalo de tiempo entre los dos ciclos de almacenamiento de la memoria de salida de datos extendida y la memoria de transmisión. Envía los datos a la CPU y accede a la página siguiente al mismo tiempo, mejorando así la eficiencia del trabajo (aproximadamente más rápido que el tradicional). DRAM 15~30%).
La memoria EDO es generalmente de 72 líneas (SIMM), y también las hay de 168 líneas (DIMM). Esta última se utiliza principalmente en los ordenadores Macintosh de Apple.
EEPROM (Memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente)
Memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente: un chip de memoria que no pierde datos después de un corte de energía. La EEPROM se puede borrar y reprogramar en una computadora o dispositivo especial. Generalmente se utiliza en tarjetas de interfaz plug-and-play (Plug & Play) para almacenar datos de configuración de hardware para evitar la copia ilegal de software. También se puede encontrar en "Hardware Lock".
Rambus (¿igual que? RDRAM)
Una memoria desarrollada por Rambus (ahora adquirida por Intel) es aproximadamente 10 veces más rápida que la DRAM ordinaria. Puede considerarse un hito en la historia del desarrollo de la memoria. El controlador de memoria requiere cambios considerables, por lo que actualmente solo se usa en consolas de juegos, tarjetas aceleradoras de gráficos profesionales y una pequeña cantidad de PC de alta gama. Pero en el futuro, Rambus puede reemplazar a la SDRAM y convertirse en la memoria principal. >
EPROM. Memoria de sólo lectura programable y borrable
Un chip programable reutilizable cuyo contenido nunca se pierde a menos que lo borre con luz ultravioleta, generalmente para programar una EPROM. O al borrar contenido, se utiliza un equipo especial. requerido
SDRAM (DRAM síncrona) - Memoria dinámica síncrona
Un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que funciona a la frecuencia del bus externo de la CPU, sincronizada con el reloj de la CPU. Dado que la SDRAM puede funcionar sincrónicamente con la frecuencia de la columna de la CPU, no hay período de espera y el retraso en la transmisión de datos se reduce. La DRAM FPM comienza la transmisión cada 2 ciclos de reloj.
RDRAM (Rambus DRAM): aleatoria dinámica de tipo bus. memoria de acceso
Es una tecnología patentada propuesta conjuntamente por RAMBUS e INTEL. Su velocidad de transmisión de datos es de ?00MHZ. Sin embargo, su ancho de bus es mucho menor que el
DIMM. (Módulo de memoria de doble línea): módulo de memoria de contacto bilateral
Para decirlo sin rodeos: la parte delantera y trasera del módulo de memoria en ambos lados no son conductoras, como las de 100 líneas. Los DIMM de memoria de 168 líneas y 200 líneas (Dimm largo) y de 72 líneas y 144 líneas (SO-Dimm) generalmente tienen un ancho de banda de 64 bits y los lados frontal y posterior están en la misma posición. SIMM generalmente solo tiene un ancho de banda de 32 bits y es necesario usar dos de ellos al mismo tiempo. Generalmente están conectados a la placa base a través de
SRAM (Static DRAM) - estática. memoria
Aunque no es necesario actualizar la memoria estática, los datos se perderán después de un corte de energía. La velocidad de transferencia de datos de la memoria estática varía de 10 nanosegundos a 30 nanosegundos, mientras que la memoria dinámica es 30 nanosegundos más lenta. La memoria de tipo simultáneo y bidireccional y la memoria ECL son mayores a 10 nanosegundos. Por lo tanto, la memoria estática se usa generalmente para la memoria caché.
La memoria dinámica consiste en un circuito trenzado de transistores, donde la corriente fluye hacia un extremo u otro del transistor dependiendo de qué transistor esté funcionando.
ROM (Read Only Memory): memoria de solo lectura
Un tipo de memoria que no pierde datos después de un corte de energía. Se utiliza principalmente para almacenar "firmware". La BIOS de la placa base, la tarjeta gráfica y la tarjeta de red es una especie de ROM, porque la probabilidad de cambios en sus programas y datos es muy baja.
RAM (Memoria de acceso aleatorio) - Memoria de acceso aleatorio
Una estructura de unidad de almacenamiento utilizada para guardar información de datos procesada por la CPU. El acceso "aleatorio" es lo opuesto al acceso "en serie", lo que significa que la CPU puede leer directamente los datos requeridos desde cualquier dirección en la RAM sin tener que buscarlos uno por uno de principio a fin.
SPD (Serial Presence Detect) - Detección de presencia en serie
Un pequeño chip EEPROM que almacena la capacidad, velocidad, información del fabricante y otras especificaciones técnicas de la tarjeta de memoria.
ECC (Código de corrección de errores): código de corrección de errores, código de corrección de errores
ECC es un método electrónico que se utiliza para verificar los datos generales almacenados en la DRAM. ECC tiene un diseño más sofisticado que la paridad. No solo puede detectar errores de datos de varios bits, sino también especificar los bits erróneos y corregirlos. Normalmente, ECC utiliza 3 bits por byte para la corrección de errores, mientras que la paridad sólo utiliza un bit.
Otra explicación de ECC es Error Checking & Correction, que es la comprobación y corrección de errores.
La memoria con ECC tiene 1 o 2 chips más que la memoria SDRAM normal. Es muy cara y se utiliza generalmente en estaciones de trabajo o servidores.
DDR (SDRAM de doble velocidad de datos): memoria dinámica síncrona de salida de datos dual.
La DDR SDRAM puede, en teoría, duplicar la velocidad de la RAM. Puede leer datos tanto en el flanco ascendente como en el descendente del reloj.