El proceso de desarrollo de la memoria flash
En 1984, el inventor de Toshiba, Fujio Sugaoka, propuso por primera vez el concepto de memoria flash rápida (aquí denominada memoria flash). A diferencia de la memoria de computadora tradicional, la memoria flash se caracteriza por su no volatilidad (es decir, los datos almacenados no se perderán después de apagar el host) y su velocidad de grabación también es muy rápida.
Intel es la primera empresa del mundo en producir memorias flash y lanzarlas al mercado. En 1988, la empresa lanzó un chip de memoria flash de 256 KB. Era del tamaño de una caja de zapatos y estaba incrustado en una grabadora. Más tarde, el tipo de memoria flash inventada por Intel se denominó colectivamente memoria flash NOR. Combina tecnologías EPROM (memoria de solo lectura programable y borrable) y EEPROM (memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente) y tiene una interfaz SRAM.
El segundo tipo de memoria flash se llama memoria flash NAND. Fue desarrollado por Hitachi en 1989 y se considera un reemplazo ideal para la memoria flash NOR. El ciclo de escritura de la memoria flash NAND es un 90% más corto que el de la memoria flash NOR, y sus velocidades de procesamiento de guardado y eliminación también son relativamente rápidas. La unidad de almacenamiento de NAND es sólo la mitad que la de NOR, y NAND logra un mejor rendimiento en un espacio de almacenamiento más pequeño. Debido al excelente rendimiento de NAND, se utiliza a menudo en tarjetas de memoria como CompactFlash, SmartMedia, SD, MMC, xD y tarjetas de PC, memorias USB, etc. El mercado de la memoria flash se encuentra todavía en una etapa inmadura en la que la competencia entre los mejores jugadores es intensa. Samsung, Hitachi, Spansion e Intel son los cuatro principales fabricantes de este mercado.
Debido a algunos errores estratégicos, Intel cedió su primer puesto por primera vez, quedando detrás de Samsung, Hitachi y Spansion.
Spansion, la unidad de negocio de memoria flash de AMD, produce memoria flash NAND y NOR. Su producción de memoria flash NOR en la primera mitad del año fue casi la misma que la de Intel, lo que lo convierte en el mayor fabricante de memoria flash NOR. La compañía ganó 1.300 millones de dólares en el primer semestre, casi la mitad de su beneficio corporativo general de 2.500 millones de dólares.
En general, Intel y AMD obtuvieron buenos resultados en la primera mitad del año, pero Samsung e Hitachi sufrieron reveses.
Según estimaciones realizadas por la empresa de investigación de mercado iSuppli, los ingresos globales por memorias flash alcanzarán los 16.600 millones de dólares, un aumento del 46% respecto a 2003 (11.640 millones de dólares). Según las fuentes, la demanda de memoria para cámaras digitales, memorias USB y reproductores de MP3 comprimidos aumentará significativamente las ventas de memorias flash. Se prevé que las ventas de memorias flash alcanzarán los 17.500 millones de dólares en 2005. Sin embargo, iSuppli estima que el crecimiento de los beneficios de la memoria flash se ralentizará entre 2005 y 2008, alcanzando un máximo de 22.400 millones de dólares. En comparación con muchas tecnologías de la información de corta duración, la memoria flash ha demostrado plenamente su estilo "antiguo" con sus 16 años de historia de desarrollo. A principios de la década de 1990, la memoria flash entró por primera vez en el mercado; en 2000, las ganancias habían superado los mil millones de dólares estadounidenses. Peter, director del departamento de memoria flash de Infineon Technologies, dijo una vez: "En lo que respecta al ciclo de vida de la memoria flash, todavía estamos en una etapa ascendente. Infineon cree que todavía hay espacio para crecer en las ventas". memoria flash y está planeando unirse al mercado de inversión. Infineon anunció que su fábrica de DRAM de 200 mm en Dresde ha comenzado la producción de chips de memoria flash compatibles con NAND de 512 Mb. Para finales de 2004, Infineon planea fabricar más de 10.000 obleas por mes utilizando el proceso de fabricación de 170 nanómetros. En 2007, la empresa espera convertirse en una de las tres primeras en el mercado NAND.
Además, Stefan Lai, vicepresidente del Grupo de Tecnología y Fabricación de Intel, cree que la memoria flash será insustituible antes de 2008. En 2006, Intel adoptará por primera vez la tecnología de 65 nanómetros; en 2008, se espera que se lance al mercado la nueva generación de tecnología de 45 nanómetros que está en desarrollo. Stefan Lai cree que la predicción aún es relativamente simple y que quizás la tecnología de 32 nm y 22 nm sea completamente posible. Pero Stefan Lai también admitió que entre 2008 y 2010, las nuevas tecnologías pueden ocupar su lugar.
A pesar del creciente debate sobre las alternativas a la memoria flash, el mercado todavía la toma en serio. El futuro reemplazo no sólo debe ser una memoria no volátil como la memoria flash, sino que también debe ser ligeramente mejor en velocidad y ciclos de escritura.
Además, los costes de producción también deberían ser relativamente bajos. Debido a que la tecnología de fabricación aún no está madura, las nuevas alternativas no representarán una amenaza absoluta para la memoria flash. Echemos un vistazo a varios productos alternativos: