Mi máquina es una computadora Founder con 256 MB de memoria. Ahora quiero agregar una memoria de 256 MB o reemplazar directamente la memoria de 512 MB.

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A partir del estándar PC100, la tarjeta de memoria tiene un chip SPD, que es un pequeño chip de 8 pines en el lado derecho de la parte frontal de la tarjeta de memoria Guardar Contiene la velocidad, frecuencia de funcionamiento, capacidad, voltaje de funcionamiento, versión CAS, tRCD, tRP, tAC, SPD y otra información del módulo de memoria. El chip SPD es un pequeño chip de 8 pines ubicado en el lado frontal derecho de la tarjeta de memoria. Al iniciar, el BIOS de una placa base que admite la función SPD leerá la información en el SPD y establecerá el tiempo de acceso a la memoria según el valor leído. Podemos utilizar herramientas como SPDinfo para ver la información en el chip SPD. Por ejemplo, la SDRAM PC133U-333-542 que se muestra en el software representa las especificaciones técnicas de la memoria bajo prueba. Las especificaciones de la memoria están marcadas en un formato unificado, generalmente PCx-xxx-xxx, pero los formatos de diferentes especificaciones de memoria son diferentes.

1. Formato de etiqueta de memoria SDRAM PC66/100

(1) Versión 1.0--1.2

El formato de etiqueta de memoria de este tipo de versión: PCa- bcd- -efgh, como PC100-322-622R, donde a representa la frecuencia operativa estándar, expresada en MHZ (como 66MHz, 100MHz, 133MHz, etc.). Por ejemplo, 66MHz, 100MHz, 133MHz, etc.); b representa el CL mínimo (es decir, tiempo de espera de acceso a la columna CAS), tiempo de espera de acceso a la columna CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3; el Trcd mínimo (RAS relativo (tiempo de retardo relativo a CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2; d representa TRP (tiempo de precarga de RAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2; e representa el máximo tAC (datos relativos al borde inferior del reloj) Tiempo de lectura), generalmente 6 (ns) o 6,5, cuanto más corto, mejor; f representa el número de versión del SPD. Hay una EEPROM en todos los módulos de memoria PC100 para registrar información relevante. el módulo de memoria, que cumple con la especificación Intel PC100. Las versiones del módulo de memoria son todas 1.2 o superiores; g representa la revisión h representa el tipo de módulo; Se debe registrar una memoria superior a 256 MB.

(2) Versión 1.2b

El formato es el siguiente: por ejemplo, PC100-322-54122R, donde a representa la frecuencia operativa estándar en MHZ b representa el CL mínimo; (es decir, tiempo de espera de acceso a la columna CAS), tiempo de espera de acceso a la columna CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3 c representa el Trcd mínimo (tiempo de retraso de RAS relativo a CAS), expresado en el número de ciclos de reloj; ;d representa TRP (tiempo de precarga de RAS), expresado en el número de ciclos de reloj; ee representa el tiempo de lectura de datos en relación con el borde inferior del reloj, sin punto decimal, por ejemplo, 54 representa 5,4 ns tAC; La versión de SPD, como 12, representa la versión de SPD 1.2; g representa la versión de revisión, como 2 significa la versión 1.2; h significa tipo de módulo; R ​​significa DIMM registrado, se debe registrar una memoria superior a 256 MB.

2. Formato de etiqueta de memoria PC133 SDRAM (versión 2.0).

Tanto VIA como Intel han propuesto el estándar PC133 SDRAM.

La especificación PC133 promovida por VIA es PC133 CAS = 3, que amplía la mayoría de las especificaciones de PC100, como SDRAM de 168 canales, voltaje operativo de 3,3 V y SPD. La especificación PC133 de Intel es más estricta, es PC133 CAS = 2; Los chips de memoria requeridos son de al menos 7,5 ns, preferiblemente CAS = 2 a 133 MHz.

El formato de etiqueta de PC133 SDRAM es: PCab-cde-ffg, PCab-cde-ffg, PCab-cde-ffg: PCab-cde-ffg, como PC133U-333-542, donde a representa Frecuencia de trabajo estándar, la unidad es MHZ; b representa el tipo de módulo (R representa DIMM registrado, U representa DIMM sin búfer c representa CL mínimo (es decir, tiempo de retardo CAS), expresado en MHZ, c representa CL mínimo (es decir, retardo CAS); tiempo), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3; d representa el retraso de RAS con respecto a CAS, expresado en el número de ciclos de reloj; e representa el tiempo de precarga de RAS, expresado en el número de ciclos de reloj; relativo al El borde inferior del reloj del tiempo de lectura de datos, excluyendo el punto decimal, como 54 representa 5.4ns tAC g representa la versión SPD, como 2 representa la versión SPD 2.0.

3.Formato de comentarios de memoria PC1600/2100 DDR SDRAM (versión 1.0)

El formato es el siguiente: PCab-ccde-ffg, como PC2100R -2533-750, donde un representa el ancho de banda de la memoria. La unidad es MB/s; a * 1/16 = la frecuencia operativa estándar de la memoria. Por ejemplo, 2100 significa que el ancho de banda de la memoria es 2100 MB/s y la frecuencia operativa estándar correspondiente es 2100 * 1/. 16 = 133MHZ; b significa el tipo de módulo (R significa DIMM registrado, U indica que el DIMM no contiene un búfer cc indica el tiempo de retardo CAS, expresado en el número de ciclos de reloj, excluyendo el punto decimal, como 25); cuando CL = 2. d representa el tiempo de retraso de RAS con respecto a CAS, expresado en el número de ciclos de reloj; e representa el tiempo de precarga de RAS, expresado en el número de ciclos de reloj; ff representa el tiempo de lectura de datos con respecto al borde inferior del reloj; el punto decimal, como 7.5ns tAC es 75 g representa la versión SPD, por ejemplo, la versión SPD 1.0 es 0.

4. Formato de etiqueta de memoria RDRAM

El formato es: aMB/b c d PCe, como 256 MB/16 ECC PC800, donde a representa la capacidad de memoria b representa el número de memoria; partículas en la tarjeta de memoria; c representa que la memoria admite ECC; d está reservada; e representa la velocidad de transferencia de datos de la memoria, e * 1/2 = la frecuencia de funcionamiento estándar de la memoria, por ejemplo, 800 representa los datos de la memoria. Velocidad de transferencia de 800Mt/s, y la frecuencia de funcionamiento estándar correspondiente es 800*1/2 = 400MHZ.

5. Número de fabricante en el chip de memoria

Además de identificar el formato de la etiqueta de la memoria, el método de fraude de memoria también puede utilizar el número impreso en el chip de memoria. Normalmente hay varios chips de memoria en una tarjeta de memoria. Debido a los diferentes fabricantes, los números de los chips de memoria también son diferentes.

Dado que HY y SEC de Corea del Sur representan más de la mitad de la producción mundial de memoria, sus chips de memoria tienen una calidad estable y no son costosos, y LGS, Kingmax y Gold Bond también son muy populares en el mercado. Entonces, primero echemos un vistazo a los números de sus chips de memoria.

(1) HYUNDAI

La memoria SDRAM de HYUNDAI tiene muy buena compatibilidad y las placas base que admiten DIMM generalmente se pueden usar sin problemas. Su formato de número de chip SDRAM es el siguiente: HY 5a b cde. fg h i j k lm-no

Entre ellos, HY representa el producto de Hyundai Company; 5a representa el tipo de chip (57 = SDRAM, 5D = SDRAM?) SDRAM, 5D = DDR SDRAM; voltaje (en blanco = 5 V, V = 3,3 V, U = 2,5 V) representa la capacidad y la velocidad de actualización (16 = 16 Mbits, 4K Ref; 64 = 64 Mbits, 8K Ref; 65 = 64 Mbits, 4K Ref; 128 = 128 Mbits, 8K); Ref; 128 = 128 Mbits, 4K Ref; 256 = 256 Mbits, 16 K Ref; 257 = 256 Mbits, 8 K Ref; fg representa el ancho de bits de datos emitido por el chip (40, 80, 16 y 32 representan 4, 8, 16 y 32). bits respectivamente; h representa el número de bancos de memoria de los que consta el chip (1, 2 y 3 representan 2, 4 y 8 respectivamente); h representa de cuántos bancos de memoria consta el chip de memoria (1, 2 y 3 representan 2); 4 y 8 respectivamente). h representa el número de bancos de memoria dentro del chip de memoria (1, 2 y 3 representan 2, 4 y 8 bancos de memoria respectivamente, que son potencias de 2; I representa la interfaz (0 = interfaz LVTTL [TTL de bajo voltaje]); ); j representa la versión del kernel (puede estar en blanco o con letras, como A, B, C, D, etc.), k representa el consumo de energía (L = chip de bajo consumo, en blanco = chip normal lm representa el paquete); forma (JC = 400mil SOJ, TC = chip de consumo de energía); lm representa la forma de embalaje (JC = chip de bajo consumo de energía); 400mil SOJ, TC=400mil TSOP-Ⅱ, TD=13mm TSOP-Ⅱ, TG=16mm TSOP-Ⅱ sin velocidad representativa (7=7ns [143MHz], 8=8ns [125MHz], 10p=10ns [PC-100] CL2 o 3], 10s=10ns [PC-100 CL3], 10=10ns [100MHz], 12=12ns [83MHz], 15=5ns [66MHz]).

Por ejemplo, HY57V658010CTC-10s, HY significa chip moderno, 57 significa SDRAM, 65 significa 64 Mbit, ciclo de actualización 4K/64 ms, 8 significa salida de 8 bits, 10 significa 2 bancos. C significa versión 4 core, TC representa el paquete TSOP-II de 400 mil, 10S representa PC-100 CL=3.

Los números HY comunes en el mercado son HY57V65XXXXXTCXXXX y HY57V651XXXXXATC10. Entre ellos, la SDRAM con número ATC10 es difícil de alcanzar los 133 MHz; la SDRAM con número ATC8 puede superar los 124 MHz, pero no puede alcanzar los 133 MHz BTC; 7, -10p SDRAM también están disponibles, pero no pueden alcanzar los 133MHz; BTC o -7, -10p SDRAM también están disponibles. 7. -10p SDRAM es muy estable a 133MHz. En términos generales, si la mantisa es 7K, significa que la frecuencia de la memoria es PC100, y si es 75, significa PC133. Sin embargo, la memoria moderna se suspendió hace mucho tiempo y la mantisa de 75 se cambió a T-H. Todavía quedan en el mercado memorias modernas PC133 con la mantisa de 75. Muchas, puede que sea el stock anterior, pero la posibilidad es muy pequeña, la posibilidad de falsificaciones es mayor, por lo que es mejor comprar T-H, la PC133 moderna. La memoria con el número final 75 todavía está disponible en el mercado.

(2) LGS [LG Semiconductor]

LGS ha sido adquirida por HY. Los chips de memoria LGS se ven comúnmente en el mercado: entre ellos, GM representa 72 productos LGS; ; ab representa la capacidad (16 = 16 Mbits, 66 = 64 Mbits) cd representa el ancho de bits de datos (generalmente 4, 8, 16, etc.); e representa el banco de memoria (2, 3, 4, 5, etc.) . e representa el banco de memoria (2 = 2 bancos de memoria, 4 = 4 bancos de memoria); f representa la versión del kernel, que se ha clasificado al menos en E; g representa el consumo de energía (L = bajo consumo de energía, En blanco = normal) ; T representa el paquete (T=paquete TSOP II normal, I=paquete BLP hi representa la velocidad (7.5=7.5ns[133MHz], 8=8ns[125MHz], 7K=10ns[PC-100 CL2 o 3], 7J=10ns[100MHz], 10K=10ns[100MHz], 12=12ns[83MHz], 15=15ns[66MHz]).

Por ejemplo, GM72V661641CT7K significa SDRAM de LG, 64 Mbit, salida de 16 bits, 4 bancos, velocidad de 7 K, es decir, PC-100, CL=3.

En el sufijo numérico LGS, 7.5 es la memoria PC133; 8 es la memoria real de 8ns PC 100, que es más rápida que 7K/7J y 7J pertenece a PC 100 SDRAM, y la principal diferencia entre ellas; dos son los parámetros de velocidad de la tercera respuesta, 7K es más rápido que 7J y 7K es más estable que 7J a 133MHz. 10K es una especificación que no es PC100 y es extremadamente lenta. Debido a que la apariencia es similar a 7J/7K, muchos comerciantes sin escrúpulos. Véndelos como 7J/7K.

(3) Kingmax

La memoria de Kingmax utiliza el paquete avanzado TinyBGA, mientras que la memoria SDRAM general utiliza el paquete TSOP. El tamaño del paquete TinyBGA es un tercio del del paquete TSOP. En el mismo espacio, el paquete TinyBGA puede triplicar la capacidad de almacenamiento y es más pequeño y delgado, con la ruta de disipación de calor más efectiva desde su sustrato metálico hasta el calor. Disipador de solo 0,36 mm, la impedancia de línea también es muy pequeña, por lo que tiene buen rendimiento y estabilidad de overclocking. Sin embargo, la compatibilidad de Kingmax con los conjuntos de chips de la placa base no es ideal; por ejemplo, la memoria Kingmax PC150 no arranca en algunas placas base KT133.

La memoria SDRAM Kingmax dispone actualmente de tres modelos: PC150, PC133 y PC100. La memoria PC150 (en la foto de abajo) es en realidad una tarjeta de memoria PC133 extrema que puede sincronizarse externamente hasta 150 y estabilizarse en CL=3 (algunas pueden llegar hasta CL=2). La versión REV1.2 de este tipo de memoria soluciona principalmente problemas de compatibilidad con las placas base con chipset VIA 694X y, por lo tanto, es mejor que la versión REV1.1. Al comprar memoria Kingmax, tenga cuidado de no comprar tiras de pulido. JS en el mercado a menudo pule la memoria Kingmax PC100 de 8 ns original en memoria PC133 o PC150 de 7 ns, por lo que es mejor utilizar software como SISOFT SANDRA2001 para probar la velocidad de la memoria. Preste atención a si la escritura en la memoria es clara, si hay rayones regulares, si la superficie del chip es blanca, etc. Compruebe si la superficie del chip es blanca, etc., y compruebe el número en el chip.

La memoria KINGMAX PC150 utiliza partículas de 6 nanosegundos, lo que mejora enormemente su velocidad. Incluso si se utiliza para funcionar en PC133, su velocidad será más rápida que la memoria PC133 de KINGMAX. como KSV884T4A1A-07 y hay dos tipos de chips de memoria PC100: algunos son -8 (como KSV884T4A1A-07) y otros son -8 (como KSV884T4A1A-07); Por ejemplo, el número es KSV884T4A0-08) y -7 (por ejemplo, el número es KSV884T4A0-07). Una de las diferencias entre KINGMAX PC133 y PC100 es que una gran parte de la memoria de la PC100 se puede overclockear a 133, pero no toda, mientras que se garantiza que la memoria de la PC133 funcionará de manera estable a 100 en el FSB de la PC133 (CL=2).

(4) Geil (Jinbang, lingotes de oro estilo tronco)

Los lingotes de oro Jinbang se dividen en cinco tipos de tarjetas de memoria: 'doradas, rojas, verdes, plateadas y azules'. '. El SPD de Bangjin Bar está determinado y corresponde a diferentes placas base. Entre ellos, las barras de oro rojo son la memoria PC133; las barras de oro P son adecuadas para sistemas de servidor PC133 y son adecuadas para placas base de procesador dual; las barras de oro verde son adecuadas para la memoria PC100 y las barras de oro de color azul A son adecuadas para placas base de la serie AMD750/760 K7; y son adecuados para reproductores con overclocking; la barra dorada de color azul es adecuada para la placa base KX133; la barra dorada de color T azul es adecuada para la placa base KT-133; la barra dorada plateada es adecuada para la memoria PC133 de una computadora portátil;

Número de chip de memoria Gold Bond, como GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

Donde GL2000 representa el tipo de chip (GL2000 = TSOP Millennium Stripes, es decir, paquete pequeño y delgado, Gold SDRAM = BLP); GP representa productos Gold Bond Technology; 6 representa la serie de productos (6 = SDRAM LC representa tecnología de procesamiento (C = 5 V Vcc CMOS, LC = 0,2 micrones 3,3 V Vdd CMOS); 2,5 V Vdd CMOS); 16M8 es el número de dispositivo (profundidad * ancho, capacidad del chip de memoria = capacidad de la matriz de memoria * número de matriz = 16 * 8 = 128 Mbit, donde 16 = capacidad de la matriz de memoria; 8 = número de matriz; M = unidades de capacidad) (sin letras = bits, K = KB, M = MB, G = GB) indica la versión TG es el código del paquete (DJ = SOJ, DW = Wide SOJ, F = FBGA de 4 filas de 54 pines, FB = 60); pin 8*16 FBGA, FC = 60 pin 11*13

FBGA, FP = paquete de chip inverso, FQ = sello de chip inverso, F1 = FBGA de 2 filas de 62 pines, F2 = 2 filas de 84 pines FBGA, LF=FBGA de 90 pines, LG=TQFP, R1=micro FBGA de 2 filas de 62 pines, R2=micro FBGA de 2 filas de 84 pines, TG=TSOP (segunda generación), U=μ BGA es -7); el tiempo de acceso (7=7ns (143MHz)); AMIR es el número de etiqueta interna. Los números de arriba representan Gold Bond Millennium Strip, 128 MB, paquete TSOP (segunda generación), proceso de fabricación CMOS Vdd de 0,2 micrones y 3,3 V, 7 ns, velocidad de 143 MHz.

(5) SEC (Samsung Electronics, Samsung)

Número de chip de memoria Samsung EDO DRAM, como KM416C254D significa: KM significa memoria Samsung; 4 significa tipo de RAM (4=DRAM) 16 representa la composición del chip de memoria x16 (1=x1 [expresado como múltiplo de 1], 4= x4, 8=x8, 16=x16); representa la densidad de memoria de 256 Kbit (256 [254] = 256 Kx, 512 (514) = 512 Kx, 1 = 1 Mx, 4 = 4 Mx, 8 = 8 Mx, 16 = 16 Mx D representa la versión de la memoria (En blanco = 1.ª generación, A); =2da generación, B =3ra generación, C=4ta generación, D=5ta generación), es decir Samsung 256Kbit*16 = 4Mb de memoria.

El número de chip de memoria SDRAM de Samsung, como KM416S16230A-G10, significa: KM representa la memoria de Samsung; 4 representa el tipo de RAM (4=DRAM); 16 = x16); S representa SDRAM; 16 representa la densidad del chip de memoria de 16 Mbit (1 = 1 M, 2 = 2 M, 4 = 4 M, 4 = 4 M, 4 = 4 M, 4 = 4 M, 4 = 4 M, 4=4M, 4=4M, 2=2M, 4=4M, 8=8M, 16=16M representa la actualización (0=4K, 1=2K, 2=8K); 2 = 2 filas, 3 = 4 líneas); 0 representa la interfaz de memoria (0 = LVTTL, 1 = SSTL) (en blanco = 1.ª generación, A = 2.ª generación, B = 3.ª generación); para fuente de alimentación (G=actualización automática F=Actualización automática de bajo voltaje 10 representa la frecuencia máxima (7=7ns [143 MHz], 8=8ns [125 MHz], 10=10ns [100 MHz], H=100 MHz); @ El valor CAS es 2, L=100 MHz @ El valor CAS es 3). La capacidad de Samsung debe calcularla usted mismo, es decir, multiplicar el número después de "S" por el número antes de "S". El resultado es la capacidad, es decir, Samsung 16M*16 = chip de memoria SDRAM de 256Mbit, frecuencia de actualización de 8K, 3 bancos de memoria, interfaz de memoria LVTTL, memoria de segunda generación, actualización automática, velocidad de 10ns (100 MHz).

El formato del chip de memoria SDRAM estándar Samsung PC133 es el siguiente:

Tipo sin búfer: KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Tipo de registro:

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Número de chip de memoria DRAM síncrona DDR de Samsung, como KM416H4030T significa: KM representa la memoria de Samsung; 4 representa el tipo de RAM (4=DRAM; 16 representa la composición del chip de memoria x16 (4=x4); , 8=x8, 16=x16, 32=x32); H representa el voltaje de la memoria (H=DDR SDRAM[3.3V], L=DDR SDRAM[2.5 V]); 8 = 8M, 16 = 16M, 32 = 32M, 64 = 64M, 12 = 128M, 25 = 256M, 51 = 512M, 1G = 1G, 2G = 2G, 4G = 4G; 0 representa actualización (0 = 64m/4K); [15,6μs], 1 = 32m/2K [15,6μs], 2 = 128m/8K [15,6μs], 3 = 64m/8K [7,8μs], 4 = 128m/16K [7,8μs]); de filas de memoria (3 = 4 filas, 4 = 8 filas); 0 representa el voltaje de la interfaz (0 = interfaz mixta LVTTL SSTL_3 (3,3 V), 1 = SSTL_2 (2,5 V)); = 4 filas, 4 = 8 filas). 5V)); T representa el tipo de paquete (T = TSOP II de 66 pines, B = BGA, C = micro BGA (CSP)); Z representa la velocidad 133MHz (5 = 5ns, 200MHz (400Mbps), 6 = 6ns, 166MHz ( 333 Mbps), Y = 6,7 ns, 150 MHz (300 Mbps); Z = 7,5 ns, 133 MHz (266 Mbps); En otras palabras, chip de memoria Samsung de 4Mbit*16=64Mbit, SDRAM DDR de 3,3 V, tiempo de actualización 0 = 64 m/4K (15,6 μs), el número de filas del chip de memoria es 4 filas (dos filas en cada lado) y la interfaz El voltaje es LVTTL SSTL_3 (3,3 V), el tipo de paquete es TSOP de 66 pines

II y la velocidad es de 133 Mhz.

Número de chip de memoria RAMBUS DRAM de Samsung, como KM418RD8C: KM representa la memoria de Samsung; 4 representa el tipo de RAM (4 = DRAM); RD representa el tipo de producto (RD = RAMBUS DRAM directo); 8 representa la densidad del chip de memoria 8 M (4 = 4 M, 8 = 8 M, 16 = 16 M) representa el tipo de paquete (C = micro BGA, D = micro BGA [reverso); CSP], W = WL-CSP); 80 representa la velocidad (60 = 600 Mbps, 80 = 800 Mbps). En otras palabras, Samsung 8M * 18bit = 144M, paquete BGA, velocidad 800Mbps.

(6) Micron

Micron es uno de los fabricantes de memoria más conocidos del mundo (como la tarjeta de memoria SDRAM Micron PC143 a la derecha) y su formato de número de chip SDRAM es MT48 ab cdMef Ag TG -hi j

Entre ellos, MT representa los productos de Micron; 48 representa la serie de productos (48 = SDRAM, 4 = DRAM, 46 = DDR SDRAM, 6 = Rambus); (C=5V Vcc CMOS, LC=3.3V Vdd CMOS, V=2.5V Vdd CMOS número de dispositivo (profundidad*ancho), sin letras=bits, K=kilobits (KB), M=megabits (MB), G = kilobits Megabit (GB) Capacidad de Mricron = cd*ef; representa el ancho de bits de datos (4, 8, 16 y 32 representan 4, 8, 16 y 32 bits respectivamente); Twr =2clk TG representa el paquete (TG=paquete TSOP II, DJ=SOJ, DW=wide SOJ, F=54 pines 4 filas de FBGA, FB=60 pines 8*16 FBGA, FC=60 pines 11*13 FBGA); , FP = paquete de chip invertido, FQ = paquete de chip invertido, F1 = FBGA de 62 pines y 2 filas, F2 = FBGA de 84 pines y 2 filas, LF = FBGA de 90 pines, LG = TQFP, R1 = 62 pines y 2 filas de micro FBGA, R2 =84 pines 2 filas de micro FBGA, U=μ BGA); j representa el consumo de energía (L=bajo consumo de energía, En blanco=normal hj representa la velocidad, dividida en las siguientes cuatro categorías:

( A) DRAM

-4=40ns, -5=50ns, -6=60ns, -7=70ns

SDRAM, x32 DDR SDRAM (velocidad de reloj @ CL3)

-15=66MHz, -12=83MHz, -10=100MHz,

8x=125MHz, -75=133MHz, -7x=143MHz, -65=150MHz, -6=167MHz, -55=183MHz, -5=200MHz

DDR SDRAM (x4, x8, x16) velocidad de reloj @ CL=2.5

-8 =125MHz, -75 =133MHz, -7 =143MHz

(B) Rambus (velocidad de reloj)

-4D=400MHz 40ns, -4C=400MHz 45ns, -4B=400MHz 50ns, -3C= 356MHz 45ns, -3B =356MHz 50ns, -3M=300MHz 53ns

Significado

-8E admite PC66 y PC100 (CL2 y CL3)

-75 admite PC66,

-8E admite PC66 y PC100 (CL2 y CL3)

-75 admite PC66, PC100 (CL2 y CL3), PC133 (CL=3)

-7 admite PC66, PC100 (CL2 y CL3), PC133 (CL2 y CL3)

(C) DDR SDRAM

-8 admite PC200 (CL2)

-75 admite PC200 (CL2) y PC266B (CL=2.5)

-7 admite PC200 (CL2), PC

266B (CL2) y PC266A (CL=2,5).

Por ejemplo, MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES representa la SDRAM de Micron, 16M8=16*8MB=128MB, 133MHz

(7) Otros números de chip de memoria

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El número de chip de memoria de NEC, como μPD4564841G5-A80-9JF significa: μPD4 representa el producto de NEC; 5 representa la SDRAM; 64 representa la capacidad de 64 MB; , 16 y 32 representan 4 respectivamente, 8, 16 y 32 bits, se utilizan 2 bits cuando el ancho de bits de datos es 16 y 32 bits, 4 representa el número de bancos (3 o 4 representan 4 bancos, 16 y 32 bits representan); 2 bancos; 2 representa 2 bancos); 1 representa LVTTL (los chips de 16 y 32 bits usan dos dígitos, el segundo dígito tiene doble significado, por ejemplo: 1 representa LVTTL, 2 representa LVTTL, 3 representa LVTTL, 4 representa LVTTL). ). ej., 1 representa 2 bancos de memoria y LVTTL, 3 representa 4 bancos de memoria y LVTTL; G5 es el paquete TSOP II -A80 representa la velocidad: cuando CL=3, puede funcionar a 125 MHZ y a 100 MHZ CL se puede configurar; 2 (80) = 8 ns [125 MHz CL 3], 10 = 10 ns [PC100 CL 3], 10B = 10 ns más lento que 10, Tac es 7, no totalmente en línea con las especificaciones de PC100, 12 = 12 ns, 70 = [PC133], 75=[PC133]); JF representa el esquema del paquete (NF=TSOP-Ⅱ de 44 pines; JF=TSOP-Ⅱ de 54 pines; JH=TSOP-Ⅱ de 86 pines).

Número de chip de memoria HITACHI, como HM5264805F -B60 significa: HM significa producto Hitachi; 52 significa tipo SDRAM (51=EDO DRAM, 52=SDRAM); (40, 80 y 16 significan 4, 8 y 16 bits respectivamente); y 5F significa que es la primera versión del núcleo (al menos ahora aparece como 'F' en blanco significa consumo de energía (L = baja potencia, en blanco =); normal TT representa el paquete TSO Ⅱ; B60 representa la velocidad (75 = 7,5 ns [133 MHz], 80 = 8 ns [125 MHz], A60 = 10 ns [PC-100 CL2 o 3], B60 = 10 ns [PC-100 CL3], es decir, CL es 3 a 100MHz).

Formato del número del chip de memoria SIEMENS (Siemens): HYB39S ab cd0 e T f - gh donde ab es la capacidad y gh es la velocidad (6 = 166MHz, 7 = 143MHz, 7.5 = 133MHz, 8 = 125MHz , 8B = 100 MHz [CL3], 10 = 100 MHz [especificación PC66]). ).

Los chips de memoria de Toshiba tienen números, como TC59S6408BFTL-80, lo que significa: TC representa el chip de memoria de Toshiba: TC representa el producto de Toshiba 59 representa SDRAM (seguido de S=SDRAM normal, R= Rambus SDRAM; y W = DDR SDRAM; 64 representa la capacidad (64 = 64 Mb, M7 = 128 Mb) representa el ancho de bits de datos (04, 08, 08) y 08 representa el ancho de bits de datos (04, 08);

Representa el ancho de bits de datos (04, 08, 16 y 32 representan 4, 8, 16 y 32 bits respectivamente. B representa la versión del kernel FT es el paquete TSOP II (si hay la letra L después de FT = bajo); consumo de energía, en blanco = normal); 80 representa la velocidad (75 = 7,5 ns [133 MHz], 80 = 8 ns [125 MHz], 10 = 10 ns [100 MHz CL = 3]).

Por ejemplo, el número de chip de memoria de IBM es IBM0316809CT3D-10, donde IBM representa el producto de IBM; 16 representa la capacidad de 16 MB; , 8 y 16 bits); C representa el consumo de energía (P=bajo consumo de energía, C=normal); 10 representa la velocidad (68=6,8 ns [147 MHz], 75 A = 7,5 NS [133 MHz], 260 O 222=10ns [PC100 CL2 o 3], 360 o 322=10ns [PC100 CL3], en la versión B del chip de 64Mbit, la velocidad calibrada de 260 y 360 en CL=3 es 135MHZ, 10=10NS[100MHz] .