¿Cuál es el principio de voltear el teléfono para encender la pantalla?

El principio es incrustar un elemento sensible magnético en el teléfono móvil. Este elemento puede ser un elemento Hall (llamado HALL Sensor en inglés), que se utiliza principalmente para detectar la posición de la tapa abatible o deslizante. En términos sencillos, es un sensor que puede tener un campo magnético y, por lo general, hay un accesorio magnético correspondiente en la carcasa del teléfono móvil. El teléfono móvil detecta la fuerza del campo magnético para determinar si la cubierta. está abierto o cerrado.

Cuando la cubierta está cerrada, el sensor magnético enviará una señal a la pantalla del teléfono y el interruptor de inducción se moverá para cambiar la pantalla a una interfaz especial prediseñadas (predeterminada por el teléfono), como como llamadas entrantes, reloj, clima, información, encuadre y disparo, control de reproducción de música, grabación de notas, etc.

Después de que el imán se retira, la pantalla normal del escritorio regresa. Al mismo tiempo, es necesario implantar un pequeño parche en la tapa de la batería de la funda de cuero inactiva (hay un parche negro en la contraportada original, que es la placa de aislamiento magnético), de modo que el pequeño parche magnético, el magnético El componente sensible y el parche de aislamiento magnético están incluidos. Al estar en el mismo plano vertical, realiza el principio de funcionamiento de dormir cuando la cubierta está cerrada y anti-dormir cuando la cubierta está volteada. Cuando se coloca un imán grande en la posición del sensor magnético, la pantalla del teléfono se apagará automáticamente. Después de retirar el imán, la pantalla se desbloqueará y se iluminará automáticamente.

Información ampliada:

Materiales:

Los elementos Hall pueden estar hechos de una variedad de materiales semiconductores, como Ge, Si, InSb, GaAs, InAs, InAsP y muchos más materiales de pozos cuánticos de heteroestructura de semiconductores de capas, etc.

La movilidad de los electrones (la velocidad promedio del movimiento direccional de los electrones) en los semiconductores es mayor que la movilidad de los huecos, por lo que los semiconductores de tipo N son más adecuados para fabricar elementos Hall con alta sensibilidad.

Los materiales semiconductores comúnmente utilizados incluyen silicio tipo N, germanio tipo N, antimonuro de indio, arseniuro de indio y soluciones sólidas tipo In compuestas de arsenito de indio y fosfato de indio en diferentes proporciones.

Entre ellos, el germanio tipo N es fácil de procesar y su constante Hall, rendimiento de temperatura y linealidad de salida son todos buenos. Se usa muy comúnmente como componente de antimonuro de indio y tiene una gran producción. gran constante de Hall a altas temperaturas, pero es más sensible a la temperatura, especialmente en el rango de baja temperatura, el coeficiente de temperatura es grande, el arseniuro de indio tiene una constante de Hall pequeña, un coeficiente de temperatura pequeño y una buena linealidad de salida tiene buena temperatura; Características y linealidad de salida, lo que lo convierte en un material ideal, pero el precio es más caro. Diferentes materiales son adecuados para diferentes ocasiones: el antimonuro de indio es adecuado como elemento sensible, y los elementos Hall de germanio y arseniuro de indio son adecuados para instrumentos de medición e indicación.