Nanotecnología de teléfonos móviles

En la actualidad, la tecnología central de los chips globales ha alcanzado el proceso de 4 nm. Según las últimas noticias, Samsung y TSMC superarán los 4 nm para hacerse con el primer proceso de 3 nm, y 1 nm se convertirá en un hito, lo que requiere un gran avance en la nueva tecnología de semiconductores. La buena noticia es que se espera que la tecnología de 1 nm de IBM y Samsung logre un gran avance en un futuro próximo, y los teléfonos móviles equipados con este chip pueden durar 2 semanas.

En la primera mitad de este año, Samsung e IBM anunciaron el chip de proceso global de 2 nm, y ahora han logrado un nuevo avance en el proceso de 1 nm, introduciendo la tecnología VTFET (Transistor de efecto de campo de transferencia vertical), que A diferencia de los transistores tradicionales, se espera que la transmisión horizontal y la transmisión vertical ingresen a procesos de 1 nm o menos.

Según las declaraciones oficiales de Samsung e IMB, la tecnología VTFET tiene dos ventajas principales: en primer lugar, puede superar varias limitaciones, como la tecnología existente, y ampliar aún más la Ley de Moore. En segundo lugar, su rendimiento mejora enormemente. La velocidad del chip que utiliza la tecnología VTFET se puede aumentar 2 veces y el consumo de energía se puede reducir en un 85%.

Si esta tecnología se produce en masa, la relación de eficiencia energética de los chips de los teléfonos móviles mejorará enormemente. Los teléfonos móviles se podrán utilizar durante dos semanas con una sola carga. Sin embargo, por el momento ni Samsung ni IBM lo han anunciado. El tiempo de producción en masa es de 1 nm, por lo que todavía tenemos que esperar.