¿Cuáles son los tipos comunes de tarjetas de memoria?

Según la forma de interfaz del módulo de memoria, existen dos módulos de memoria comunes: módulo de memoria en línea simple (SIMM) y módulo de memoria en línea dual (DIMM). Los módulos de memoria SIMM se dividen en 30 líneas y 72 líneas. En comparación con los módulos de memoria SIMM, los módulos de memoria DIMM tienen 168 pines. Los DIMM se pueden usar individualmente y se pueden combinar diferentes capacidades. Los SIMM se deben usar en pares.

Según la forma en que funciona la memoria, la memoria puede estar en forma de FPA EDO DRAM y SDRAM (RAM dinámica síncrona).

FPA (MODO DE PÁGINA RÁPIDA) RAM Memoria de acceso aleatorio en modo de página rápida: Esta es la memoria comúnmente utilizada en sistemas informáticos anteriores. Transfiere datos una vez cada tres ciclos de pulso de reloj.

EDO (EXTENDED DATA OUT) Memoria de acceso aleatorio de salida de datos extendida RAM: la memoria EDO cancela el intervalo de tiempo entre los dos ciclos de almacenamiento de la placa base y la memoria. Emite datos una vez cada dos ciclos de pulso de reloj. acortando enormemente el tiempo de acceso y aumentando la velocidad de almacenamiento en un 30%. EDO generalmente tiene 72 pines y la memoria EDO ha sido reemplazada por SDRAM.

Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono DRAM S (SYSNECRONOUS): La SDRAM tiene 168 pines, que es la memoria utilizada actualmente por los modelos PENTIUM y superiores. SDRAM bloquea la CPU y la RAM juntas a través del mismo reloj, de modo que la CPU y la RAM pueden compartir un ciclo de reloj y funcionar sincrónicamente a la misma velocidad. El flanco ascendente de cada pulso de reloj comienza a transferir datos, que es más rápido que la memoria EDO. Mejorado en 50.

RAM DDR (DOUBLE DATA RAGE): un producto actualizado de la SDRAM, que permite transmitir datos en los flancos ascendente y descendente del pulso del reloj, duplicando así la velocidad de la SDRAM sin aumentar la frecuencia del reloj.

RDRAM (RAMBUS DRAM) Memoria de acceso aleatorio dinámica de tipo bus; RDRAM es un nuevo tipo de DRAM desarrollado por la empresa RAMBUS con un ancho de banda del sistema y un diseño de interfaz de chip a chip que puede pasar en un nivel muy alto. rango de frecuencia Un bus simple transfiere datos. También utiliza señales de bajo voltaje para transmitir datos en ambos flancos de pulsos de reloj de sincronización de alta velocidad. INTEL agregará soporte para RDRAM a sus productos con chipset 820. Debido a que este tipo de memoria es demasiado cara, ya no se puede ver en las PC.

DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM es un estándar de tecnología de memoria de nueva generación desarrollado por JEDEC (Comité Conjunto de Ingeniería de Equipos Electrónicos). La mayor diferencia entre este y el estándar de tecnología de memoria DDR de la generación anterior es que, aunque. Lo mismo adopta el método básico de transmisión de datos durante el retraso de subida/bajada del reloj, pero la memoria DDR2 tiene el doble de capacidad de lectura previa que la memoria DDR de la generación anterior (es decir, recuperación previa de lectura de datos de 4 bits). En otras palabras, la memoria DDR2 puede leer/escribir datos a 4 veces la velocidad del bus externo por reloj y puede funcionar a 4 veces la velocidad del bus de control interno. Además, debido a que el estándar DDR2 estipula que todas las memorias DDR2 usan un empaque FBGA, que es diferente del empaque TSOP/TSOP-II que se usa actualmente, el empaque FBGA puede proporcionar un mejor rendimiento eléctrico y disipación de calor, lo que proporciona estabilidad a la memoria DDR2. una base sólida para trabajar con futuros desarrollos de frecuencias. Mirando hacia atrás en la historia del desarrollo de DDR, desde la primera generación de DDR200 aplicada a computadoras personales hasta DDR266, DDR333 y la tecnología DDR400 de doble canal actual, el desarrollo de la primera generación de DDR también ha alcanzado el límite de la tecnología y ha Ha sido difícil mejorar la memoria a través de métodos convencionales de velocidad de trabajo; con el desarrollo de la última tecnología de procesador de Intel, el bus frontal tiene requisitos cada vez más altos para el ancho de banda de la memoria, y la memoria DDR2 con frecuencias de operación más altas y más estables será la tendencia general.