¿Cuál es la diferencia entre tiristor e IGBT?
Los tiristores (SCR) y los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son dispositivos semiconductores de potencia utilizados en aplicaciones de conmutación y control de potencia, pero tienen algunas diferencias clave en sus principios de funcionamiento, características y aplicaciones:
1. Principio de funcionamiento:
- SCR: el tiristor es un dispositivo bipolar y su principio de funcionamiento se basa en la activación de sobretensión de corriente autosostenida. Una vez activado, continúa conduciendo hasta que la corriente cae o llega a cero. SCR sólo puede conducir corriente en una dirección.
- IGBT: IGBT es un dispositivo bipolar que combina las características de un transistor bipolar (BJT) y un transistor de efecto de campo (FET). El principio de funcionamiento de IGBT es controlar la conducción de la unión P-N controlando el voltaje de la puerta, de modo que la corriente pueda activarse y desactivarse.
2. Control de conducción:
- SCR: Una vez que se activa el SCR, permanecerá conductivo hasta que la corriente caiga o llegue a cero, y su apagado no puede ser controlado por medios externos. señales de ruptura.
- IGBT: IGBT puede controlar la conducción y desconexión de la corriente a través del voltaje de la puerta, por lo que tiene una mejor controlabilidad.
3. Aplicación:
- SCR: Generalmente se utiliza para control de potencia de CA de alto voltaje y alta corriente, como control de motores de CA, máquinas de soldar, etc.
- IGBT: comúnmente utilizado en convertidores de frecuencia, aplicaciones de electrónica de potencia, control de motores, inversores, fuentes de alimentación DC AC, etc. IGBT tiene mejores características de control y rendimiento de conmutación y es adecuado para diversos rangos de frecuencia y voltaje.
4. Velocidad de conmutación:
- SCR: El SCR tiene una velocidad de conmutación más lenta y normalmente requiere un tiempo de inactividad más prolongado.
- IGBT: IGBT tiene una velocidad de conmutación más rápida y puede alcanzar una mayor frecuencia de conmutación.
5. Pérdida:
- SCR: En el estado de conducción, el SCR casi no tiene caída de voltaje de conducción, pero hay una gran corriente de conducción. Esto puede resultar en mayores pérdidas de conducción.
- IGBT: IGBT tiene una pequeña corriente de conducción en el estado de conducción, pero hay una pequeña caída de voltaje de conducción. Esto suele dar como resultado menores pérdidas de conducción.
El SCR se utiliza principalmente para aplicaciones específicas de alto voltaje y alta corriente, y su control es relativamente limitado. IGBT tiene una gama más amplia de aplicaciones, tiene mejor controlabilidad y eficiencia y puede usarse en una variedad de aplicaciones de control de potencia y electrónica de potencia. La selección del dispositivo apropiado depende de los requisitos y criterios de rendimiento de la aplicación específica.