¿Qué chip es el mejor para las lámparas LED de bajo voltaje? ¿Cuáles son las características de los chips buenos y malos?
Chip MB
Definición: chip MB: chip de unión de metales (unión de metales) Este chip es un producto patentado de UEC
Características: 1. Alto calor; Coeficiente de disipación del material: Si como sustrato, fácil de disipar el calor.
Conductividad térmica
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/ m-K
Si: 125 ~ 150 W/m-K
Cobre: 300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2, oblea que une la capa epitaxial y el sustrato a través de la capa metálica, mientras refleja fotones para evitar la absorción por parte del sustrato.
3. El sustrato conductor de Si reemplaza al sustrato de GaAs y tiene buena capacidad de conductividad térmica ( la conductividad térmica difiere de 3 a 4 veces) y es más adecuado para campos de alta corriente de accionamiento. 4. La capa reflectante de metal inferior favorece la mejora del brillo y la disipación de calor
5 El tamaño se puede aumentar y utilizar en campos de alta potencia, por ejemplo: 42 mil MB
GB. chip
Definición: chip GB: chip de unión de pegamento; este chip es un producto patentado de UEC
Características: 1: El sustrato de zafiro transparente reemplaza el sustrato de GaAs que absorbe la luz y su luz. La potencia de salida es más de 2 veces mayor que la de los chips AS (estructura absorbible) tradicionales. El sustrato de zafiro es similar al sustrato GaP de los chips TS.
2: El chip emite luz desde todos los lados y tiene una excelente calidad. Patrón
Chip LED
3: En términos de brillo, su brillo general ha superado el nivel de los chips TS (8,6 mil)
4: Electrodo dual estructura, su alta resistencia a la corriente es ligeramente peor que la definición y características del chip TS de un solo electrodo
Definición: chip TS: chip de estructura transparente (sustrato transparente), que es un producto patentado de HP.
Características: 1. El proceso del chip es complejo, mucho mayor que el de AS LED
2 Excelente confiabilidad
3. Sustrato GaP transparente, no absorbe la luz. , alto brillo
4. Amplia aplicación
Definición: chip AS: chip de estructura absorbible (sustrato absorbente) Después de casi cuarenta años de esfuerzos de desarrollo, la industria optoelectrónica LED de Taiwán ha La investigación y El desarrollo, la producción y las ventas de este tipo de chips se encuentran en una etapa madura. Los niveles de investigación y desarrollo de las principales empresas en esta área están básicamente al mismo nivel, con poca diferencia en la industria de fabricación de chips de China continental. La confiabilidad aún está muy por detrás de la de la industria de Taiwán. Hay una cierta brecha. El chip AS del que estamos hablando aquí se refiere específicamente al chip AS de UEC, por ejemplo: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR, 709SYM-. VR, etc.
Características: 1. Cuatro metachips se fabrican mediante el proceso MOVPE y son más brillantes que los chips convencionales
2 Excelente confiabilidad
3. Tipos de chips de diodos ampliamente utilizados
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1: LPE: Epitaxia en fase líquida (epitaxia en fase líquida) GaP/GaP
2. . VPE: Epitaxia en fase de vapor (epitaxia en fase de vapor) GaAsP/GaAs
3. MOVPE: Epitaxia en fase de vapor de metal orgánico (epitaxia en fase de vapor de metal orgánico) AlGaInP, GaN
4. : GaAlAs/GaAs Single Heterostructure (heteroestructura simple) GaAlAs/GaAs
5. DH: GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (doble heteroestructura) GaAlAs/GaAs
6. GaAlAs Double Heterostructure, (doble heteroestructura) GaAlAs/GaAlAs[2]
4 Parámetros importantes
1. Corriente de operación directa Si
Se refiere a la corriente directa. valor cuando el diodo emisor de luz emite luz normalmente. En uso real, IF debe seleccionarse por debajo de 0,6·IFm según las necesidades.
2. Tensión de funcionamiento directa VF
La tensión de funcionamiento proporcionada en la tabla de parámetros se obtiene a una corriente directa determinada. Generalmente se mide cuando IF=20mA. El voltaje de funcionamiento directo VF del diodo emisor de luz es de 1,4 ~ 3 V. Cuando la temperatura exterior aumenta, VF disminuirá.
3. Características V-I
La relación entre el voltaje y la corriente de un diodo emisor de luz. Cuando el voltaje directo es menor que un cierto valor (llamado umbral), la corriente. Es extremadamente pequeño y no se emite luz. Cuando el voltaje excede un cierto valor, la corriente directa aumenta rápidamente con el voltaje y emite luz.
4. Intensidad luminosa IV
La intensidad luminosa de un diodo emisor de luz suele referirse a la intensidad luminosa en la dirección de la normal (para un tubo emisor de luz cilíndrico, su eje). Si la intensidad de la radiación en esta dirección es (1/683) W/sr, se emite 1 candela (el símbolo es cd). Dado que la intensidad de los diodos emisores de luz de los LED generales es pequeña, la unidad de intensidad luminosa suele ser la candela (mcd).
5. Ángulo luminoso del LED
-90°- +90°
6. Medio ancho espectral Δλ
Representa la luminiscencia. Pureza espectral del tubo.
7. Ángulo de valor medio θ1/2 y ángulo de visión
θ1/2 se refiere al ángulo entre la dirección donde el valor de intensidad luminosa es la mitad del valor de intensidad axial y la dirección luminosa. bocina del eje (dirección normal).
8. Forma completa
El ángulo calculado en función del ángulo sólido de la iluminación LED también se denomina ángulo plano.
9. Ángulo de visión
Se refiere al ángulo máximo en el que el LED emite luz. Dependiendo del ángulo de visión, la aplicación también es diferente, también llamado ángulo de intensidad de la luz.
10. Media forma
El ángulo entre la dirección normal 0° y el valor máximo de intensidad luminosa/2. En sentido estricto es el ángulo correspondiente al valor máximo de intensidad luminosa y al valor máximo de intensidad luminosa/2.
La tecnología de empaquetado LED hace que el ángulo luminoso máximo sea diferente del valor de intensidad luminosa de 0° en la dirección normal, e introduce un ángulo de desviación, que se refiere al ángulo entre el ángulo correspondiente a la intensidad luminosa máxima y 0° en la dirección normal. dirección normal.
11. Corriente CC directa máxima IFm
La corriente CC directa máxima permitida. Superar este valor puede dañar el diodo.
12. Tensión inversa máxima VRm
La tensión inversa máxima permitida es la tensión de ruptura. Superando este valor, el LED podría dañarse por avería.
13. Entorno de trabajo arriba
El rango de temperatura ambiente en el que el diodo emisor de luz puede funcionar normalmente. Por debajo o por encima de este rango de temperatura, el diodo emisor de luz no funcionará correctamente y su eficiencia se reducirá considerablemente.
14. Consumo de energía permitido Pm
El valor máximo que se permite aplicar al producto del voltaje directo de CC en ambos extremos del LED y la corriente que fluye a través de él. Si se excede este valor, el LED se calentará y dañará. [3]
5 tamaños de chip
Los chips LED de alta potencia tienen tres tamaños: 38*38 mil, 40*40 mil, 45*45 mil. Por supuesto, el tamaño del chip se puede personalizar. Estas son solo especificaciones generalmente comunes. Mil es una unidad de tamaño y un mil es una milésima de pulgada. 40 mil son casi 1 mm. 38mil, 40mil y 45mil son especificaciones de tamaño comunes para chips de alta potencia de 1W. En teoría, cuanto más grande sea el chip, mayor será la corriente y la potencia que podrá soportar. Sin embargo, el material del chip y el proceso de fabricación también son los principales factores que afectan la potencia del chip. Por ejemplo, el chip de 40 mil de CREE puede soportar una potencia de 1W a 3W, mientras que los chips del mismo tamaño de otras marcas pueden soportar hasta 2W.
6 Brillo luminoso
Brillo general: R (rojo GaAsP 655 nm), H (rojo alto GaP 697 nm), G (verde GaP 565 nm), Y (amarillo GaAsP/GaP 585 nm) , E (naranja GaAsP/ GaP 635 nm), etc.;
Alto brillo: VG (verde más brillante GaP 565 nm), VY (amarillo más brillante GaAsP/ GaP 585 nm), SR (rojo más brillante GaA/AS 660 nm) ;
Brillo ultraalto: UG, UY, UR, UYS, URF, UE, etc.
Oblea binaria (fósforo, galio): H, G, etc.
Oblea ternaria (fósforo, galio, arsénico): SR (rojo más brillante GaA/AS 660nm), HR (GaAlAs rojo súper brillante 660 nm), UR (GaAlAs rojo más brillante 660 nm), etc.;
Oblea cuaternaria (fósforo, aluminio, galio, indio): SRF (AlGalnP rojo más brillante), HRF (rojo súper brillante AlGalnP), URF (AlGalnP rojo más brillante 630 nm), VY (GaAsP/GaP amarillo más brillante 585 nm), HY (AlGalnP amarillo ultrabrillante 595 nm), UY (AlGalnP amarillo más brillante 595 nm), UYS (AlGalnP amarillo más brillante 587 nm), UE ( LED naranja más brillante AlGalnP 620 nm), HE (naranja súper brillante AlGalnP 620 nm), UG (verde más brillante AIGalnP 574 nm), etc.
7 Sustrato
Para la producción de chips LED, la selección de los materiales del sustrato es la consideración principal. El sustrato adecuado que se debe utilizar debe seleccionarse en función de los requisitos del equipo y del dispositivo LED. Tres materiales de sustrato: zafiro (Al2O3), silicio (Si) y carburo de silicio (SiC).
Las ventajas del zafiro: 1. Tecnología de producción madura y buena calidad del dispositivo; 2. Muy estable y puede usarse en procesos de crecimiento a alta temperatura. 3. Alta resistencia mecánica y fácil de manejar y limpiar.
Desventajas del zafiro: 1. El desajuste de la red y el desajuste de la tensión térmica producirán una gran cantidad de defectos en la capa epitaxial 2. El zafiro es un aislante y se fabrican dos electrodos en la superficie superior, lo que provoca que el zafiro sea un aislante. se reduce el área efectiva de emisión de luz; 3. Se aumenta el proceso de fotolitografía y grabado y el costo de producción es alto.
El silicio es un buen conductor del calor, por lo que la conductividad térmica del dispositivo se puede mejorar significativamente, alargando así la vida útil del dispositivo.
El chip LED del sustrato de carburo de silicio (la empresa CREE utiliza específicamente material SiC como sustrato) tiene un electrodo en forma de L y la corriente fluye longitudinalmente. Los dispositivos fabricados con este sustrato tienen muy buena conductividad eléctrica y térmica, lo que favorece la fabricación de dispositivos de alta potencia de gran superficie. Ventajas: La conductividad térmica del carburo de silicio es de 490 W/m·K, que es más de 10 veces mayor que la del sustrato de zafiro. Desventajas: El costo de fabricación del carburo de silicio es alto y su comercialización debe reducir los costos correspondientes.
Características de 8led
(1) El chip cuaternario, preparado mediante el proceso MOVPE, es más brillante que los chips convencionales.
(2) Excelente confiabilidad.
(3) Ampliamente utilizado.
(4) Alta seguridad.
(5) Larga vida.
9 Cómo juzgar
El precio de los chips LED: en términos generales, el precio de las obleas es más alto que el de las obleas, y los chips LED de alta potencia son definitivamente más altos que los de baja potencia. Los chips LED de potencia son más altos que los productos nacionales y el precio de los productos importados disminuye en orden desde Japón, Estados Unidos y Taiwán.
Calidad de los chips LED: la calidad de los chips LED se mide principalmente mediante los dos criterios principales: brillo y atenuación del cristal desnudo. En el proceso de embalaje, se calcula principalmente a partir de la tasa de rendimiento del embalaje de los chips LED.
10 Uso diario
Luz roja: chip cuadrado regular de 9 mil, longitud de onda (rojo puro): 620-625 nm, 60° arriba y abajo, 120° izquierda y derecha, brillo hasta 1000-1200mcd;
Luz verde: chip cuadrado regular de 12 mil, longitud de onda (verde puro): 520-525 nm, 60° arriba y abajo, 120° izquierda y derecha, brillo de hasta 2000-3000mcd;
p>Rendimiento: alto brillo, tiene una fuerte capacidad antiestática, una fuerte capacidad antiatenuación y buena consistencia. Es la mejor opción para fabricar letreros LED y caracteres luminosos LED.
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16 Introducción del fabricante
Fabricantes taiwaneses de chips LED
Epistar Abreviatura: ES, ( Lianquan, Yuankun, Lianyong, Guolian), Huga, Genesis Photonics, Arima Optoelectronics Abreviatura: AOC, Tekcore, Qili, Juxin, Guanghong, Jingfa, Shichuang, Zhoulei, Lian Sheng (HPO), Hanguang (HL), Guanglei (ED), Abreviatura de Dingyuan (Tyntek): TK, Yaofuzhou Technology TC, Canyuan (Formosa Epitaxy), Guotong, Lianding, VPEC, etc.
Huaxing (Ledtech Electronics), Dongbei (Unity Opto Technology), Para Light Electronics, Everlight Electronics, Bright LED Electronics, Kingbright, Lingsen Precision Industries, Ligitek Electronics, Lite-On Technology, HARVATEK, etc.
Fabricantes nacionales de chips LED
Sanan Optoelectronics (S), Shanghai Epilight (E), Silan Mingxin (SL), Dalian Lumei (LM), Diyuan Optoelectronics, Huacan Optoelectronics, Nanchang Xinlei, Shanghai Jinqiao Dachen, Hebei Lide, Hebei Huineng, Shenzhen Orunde, Shenzhen Century Jingyuan, Guangzhou Puguang, Yangzhou Huaxia Integrated, Gansu Xintian Electric Company, Dongguan Fudi Electronic Materials, Qingxin Optoelectronics, Jingneng Optoelectronics, Zhongwei Optoelectronics, Qianzhao Optoelectronics, Jingda Optoelectronics , Shenzhen Fangda, Shandong Huaguang, Zafiro de Shanghai, etc.
Fabricantes internacionales de chips LED
CREE, Hewlett-Packard (HP), Nichia, Toyoda Gosei, Dayang Nippon Sanso, Toshiba, Showa Denko (SDK), Lumileds, Asahi Smileds, Genelite , Osram, GeLcore, Seoul Semiconductor, etc., Bridgelux, Epivalley de Corea, etc.
17 dispositivo antirrobo
Número de modelo
Materiales de referencia
1. Precauciones con el chip LED． mazorca [fecha de consulta 21-05-2013]．
2． Clasificación de chips LED. Luces LED [fecha de referencia 2013-04-28]．
3. Análisis de parámetros importantes y dos estructuras de chips LED. Red de aplicaciones de dispositivos semiconductores [fecha de cita 2013-07-10].
4. Clasificación y prueba de chips y dispositivos LED. Big Bit Business Network [fecha de consulta 2013-05-3]．
5. Análisis de problemas comunes encontrados en el uso de chips LED. Big Bit Business Network [fecha de consulta 24 de mayo de 2013]．
El precio de los chips LED: en términos generales, el precio de las obleas es más alto que el de las obleas. Los chips LED de alta potencia son definitivamente más altos que los chips LED de baja potencia. Los importados son más altos. Los precios de origen disminuyen en orden desde Japón, Estados Unidos y Taiwán.
Calidad de los chips LED: la calidad de los chips LED se mide principalmente mediante los dos criterios principales: brillo y atenuación del cristal desnudo. En el proceso de embalaje, se calcula principalmente a partir de la tasa de rendimiento del embalaje de los chips LED.