Principios de los transistores de efecto de campo (principios básicos y aplicaciones)
FieldEffectTransistor (FET para abreviar) es un transistor y un dispositivo semiconductor. Su principio básico es utilizar el campo eléctrico en materiales semiconductores para controlar el flujo de corriente. En comparación con los transistores bipolares, los transistores de efecto de campo tienen las ventajas de una gran resistencia de entrada, una alta ganancia de corriente y una amplia respuesta de frecuencia, por lo que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos.
1. Principios básicos de los transistores de efecto de campo
Un transistor de efecto de campo consta de una compuerta, un drenaje y una fuente. El campo eléctrico entre la compuerta y la fuente puede controlar el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente. Hay dos tipos principales de transistores de efecto de campo: tipo de canal N (Canal N) y tipo de canal P (Canal P). La puerta del tipo de canal N es un semiconductor de tipo N, y el drenaje y la fuente son semiconductores de tipo P; la puerta del tipo de canal P es un semiconductor de tipo P, y el drenaje y la fuente son de tipo N; semiconductores.
1. Principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo de canal N
Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente es cero, el transistor de efecto de campo de canal N está en un estado de corte. , la corriente entre el drenaje y la fuente es casi cero. Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente es positivo, se forma un campo eléctrico entre la puerta y la fuente. Este campo eléctrico hace que los electrones en el canal N se muevan, formando un canal conductor y la corriente comienza a fluir. Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente alcanza un cierto valor, el transistor de efecto de campo del canal N está en un estado saturado y la corriente es básicamente estable.
2. El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo del canal P
El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo del canal P es opuesto al del transistor de efecto de campo del canal N. Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente es cero, el transistor de efecto de campo del canal P está apagado y la corriente entre el drenaje y la fuente es casi cero. Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente es negativo, se forma un campo eléctrico entre la puerta y la fuente. Este campo eléctrico hace que los agujeros en el canal P se muevan, formando un canal conductor y la corriente comienza a fluir. Cuando el voltaje entre la puerta y la fuente alcanza un cierto valor, el transistor de efecto de campo del canal P está en un estado saturado y la corriente es básicamente estable.
2. Aplicación de los transistores de efecto de campo
Los transistores de efecto de campo se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos. A continuación se utilizan circuitos amplificadores como ejemplo para presentar las aplicaciones de los transistores de efecto de campo.
1. Circuito amplificador de voltaje
El FET se puede utilizar como amplificador de voltaje para amplificar el voltaje de la señal de entrada a un voltaje más alto. Los pasos de operación específicos son los siguientes:
(1) Conecte la señal de entrada a la puerta del transistor de efecto de campo y conecte la señal de salida al drenaje;
(2) Ajuste la puerta y el voltaje entre las fuentes hacen que el transistor de efecto de campo funcione en un estado saturado;
(3) Al ajustar la resistencia de la fuente, se puede cambiar el factor de amplificación de voltaje.
2. Circuito de amplificación de corriente
Los FET también se pueden utilizar como amplificadores de corriente para amplificar la corriente de la señal de entrada a una corriente mayor. Los pasos de operación específicos son los siguientes:
(1) Conecte la señal de entrada a la puerta del transistor de efecto de campo y conecte la señal de salida al drenaje;
(2) Ajuste la puerta y el voltaje entre las fuentes hacen que el transistor de efecto de campo funcione en un estado saturado;
(3) Al ajustar la resistencia de la fuente, se puede cambiar el factor de amplificación actual.