Cómo medir la calidad de los tubos de efecto de campo
Puedes utilizar un multímetro para medir la calidad del tubo de efecto de campo.
Utilice la configuración de conducción del diodo del multímetro. De izquierda a derecha, generalmente es una disposición GDS. Mida si el pin S más a la derecha conduce hacia adelante, pero no está en cortocircuito. Si el pin izquierdo G y el pin derecho S no son conductores entre sí, entonces es un buen N-MOS.
La abreviatura en inglés de transistor de efecto de campo es FET. Se puede dividir en transistor de efecto de campo de unión y transistor de efecto de campo de puerta aislada, que generalmente llamamos tubo MOS para abreviar. Los tubos MOS se pueden dividir en tipo mejorado y tipo de agotamiento, y los tubos MOS mejorados comúnmente utilizados en nuestras placas base habituales son los tubos MOS de tipo mejorado. Los tres pines del GDS del tubo MOS comúnmente utilizados en nuestras placas base son fijos, ya sea un canal GDSN o un canal P. Coloque el chip en posición vertical, y son el polo G, el polo D y el polo S de izquierda a derecha. .
El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo
El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo se puede decir en una frase: "El ID que fluye a través del canal entre el drenaje y la fuente Se utiliza entre la puerta y el canal. Se controla el voltaje de puerta polarizado inverso formado por la unión pn. Para ser más precisos, el ancho de la trayectoria del flujo ID, es decir, el área de la sección transversal del canal, está controlado por cambios en la polarización inversa de la unión pn, lo que resulta en cambios en la expansión de la capa de agotamiento.
En la región no saturada de VGS=0, la expansión de la capa de transición no es muy grande. Según el campo eléctrico de VDS agregado entre el drenaje y la fuente, algunos electrones en la región de la fuente se eliminan. por el drenaje. Retírelo, es decir, hay una ID de corriente que fluye desde el drenaje a la fuente. La capa de transición que se extiende desde la compuerta hasta el drenaje bloquea parte del canal, provocando que el ID se sature. Este estado se llama pellizco. Esto significa que la capa de transición bloquea parte del canal, no que se corta la corriente.
Debido a que no hay libre movimiento de electrones y huecos en la capa de transición, tiene propiedades casi aislantes en condiciones ideales y, por lo general, es difícil que la corriente fluya. Pero en este momento, el campo eléctrico entre el drenaje y la fuente son en realidad las dos capas de transición que tocan el drenaje y la parte inferior de la puerta. Los electrones de alta velocidad atraídos por el campo eléctrico de deriva pasan a través de la capa de transición.
El fenómeno de saturación del ID se produce porque la intensidad del campo eléctrico de deriva permanece casi sin cambios. En segundo lugar, VGS cambia en la dirección negativa, de modo que VGS=VGS En este momento, la capa de transición cubre aproximadamente toda el área. Además, la mayor parte del campo eléctrico de VDS se agrega a la capa de transición, y el campo eléctrico que atrae a los electrones en la dirección de deriva está solo una pequeña parte cerca de la fuente, lo que hace que la corriente no pueda fluir.