Análisis de transistores de efecto de campo y sus circuitos amplificadores.

Transistor de efecto de campo y su circuito amplificador

1. El principio de funcionamiento básico del transistor de efecto de campo

El canal conductor del transistor de efecto de campo es una resistencia variable. El voltaje aplicado cambia el tamaño geométrico del canal conductor para cambiar la resistencia entre el drenaje y la fuente para lograr el propósito de controlar la corriente.

Hay dos situaciones para la formación del canal en el tubo de efecto de campo. Una es que después de fabricar el dispositivo, hay un canal conductor fijo en el tubo; formado aplicando un voltaje externo.

Para un transistor de efecto de campo con un canal original en el tubo, cuando el voltaje de la fuente de puerta externa es igual al voltaje de pellizco, el canal conductor desaparece y el tubo se corta. Para los transistores de efecto de campo que dependen de un voltaje externo (fuente de puerta) para formar un canal, cuando el voltaje de fuente de puerta externa alcanza el voltaje de encendido, aparece un canal conductor y el tubo cambia de apagado a encendido.

El efecto de control del voltaje drenaje-fuente sobre la corriente es obviamente diferente en dos situaciones diferentes. En un caso, hay un canal lo suficientemente ancho cerca del drenaje. En este caso, el drenaje tiene un mayor efecto de control sobre la corriente; en el otro caso, el canal cerca del extremo del drenaje desaparece. El voltaje de drenaje hará que el canal La región de fuga se extienda hacia el extremo de la fuente. La resistencia del canal aumenta bruscamente y el efecto de control del voltaje de drenaje sobre la corriente se reduce significativamente. Esta situación se denomina entrada en la región de saturación. La situación crítica para ingresar a la región de saturación es que la diferencia de voltaje entre el drenaje y la compuerta es igual al voltaje de desconexión (para dispositivos con canal original) o de encendido (para dispositivos con canal formado por voltaje externo). Después de ingresar a la región de saturación, el efecto del voltaje de drenaje sobre el control de corriente disminuye porque la resistencia entre el drenaje y la fuente aumenta en mayor medida que antes de ingresar a la región de saturación, lo que compensa el efecto del voltaje de drenaje-fuente sobre el aumento de la corriente.

Solo hay un tipo de portador (ya sean electrones cargados negativamente o huecos cargados positivamente) en el tubo de efecto de campo que conduce la electricidad, mientras que el transistor introducido anteriormente tiene dos tipos de portadores que conducen la electricidad. Los transistores con dos tipos de portadores que conducen electricidad se denominan transistores bipolares y los transistores de efecto de campo también se denominan transistores unipolares.

2 Circuito amplificador de transistor de efecto de campo

(1) Circuito de polarización de CC

Dado que FET es un dispositivo controlado por voltaje, es necesario establecer una polarización de CC adecuada voltaje vGS. Los principales métodos utilizados son la autopolarización y la autopolarización dividida por voltaje. El primero es adecuado para FET en modo de agotamiento y el segundo es adecuado para varios tipos de FET y se usa ampliamente.

(2) Análisis estático

Se pueden utilizar métodos gráficos y métodos de cálculo.

(3) Análisis dinámico

El circuito equivalente de baja frecuencia de FET es similar al de un transistor bipolar. Puede ser equivalente a una fuente de corriente controlada, pero la resistencia de entrada. rgs es muy grande y generalmente se trata como un circuito abierto.

El circuito amplificador del transistor de efecto de campo (FET) tiene tres métodos de conexión: ***fuente, ***drenaje y ***compuerta. Para cada método de conexión del circuito, resuelva AV El método de amplificación. Los indicadores de rendimiento como, Ri y Ro son similares al circuito amplificador de transistor bipolar.