¿Qué transistor se puede utilizar para reemplazar el transistor de efecto de campo IRFZ44?

El transistor de efecto de campo IRFZ44 se puede sustituir por un transistor IRF540N.

Modelo de producto: irf540n

Fabricante: SANYO, IR, VISHAY

Descripción:

Polaridad del transistor: canal N

Corriente de drenaje, Id máximo: 33 A

Voltaje, Vds máximo: 100 V

Resistencia en estado encendido, Rds(encendido):0,04 ohmios

Voltaje @ Medición Rds: 10V

Voltaje, Vgs máximo: 10V

Consumo de energía: 94W

Tipo de paquete: TO-220AB

Número de pines: 3

Potencia, Pd: 120W

Marca del dispositivo: IRF540N

Pasado de pines: 2,54 mm

Número de transistores: 1

Tipo de transistor: MOSFET

Temperatura @ Medición de corriente: 25°C

Temperatura de potencia máxima: 25°C

Resistencia térmica , unión al caso A: 1,1 °C/W

Voltaje Vgs @ Rds encendido Medido: 10 V

Voltaje, Vds típico: 100 V

Corriente, Id continua : 27A

Corriente, Idm pulsado: 110A

Dispositivo de montaje en superficie: Montaje en orificio pasante

Formato de pin: 1 g

2 d /tab

3 s

Configuración de pines: a

Voltaje umbral, Vgs th Valor típico: 4V