qvd

1. Según la tabla de resistividad, la concentración de dopaje NA=2X10^16 CM^(-3)

2. Según la tabla de concentración de dopaje, la función de trabajo Ws de. el semiconductor se obtiene =5.00eV

3 Para obtener la unión Schottky, se requiere que el semiconductor tipo P satisfaga Wm

4. La altura de la barrera en el lado metálico q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5. qVD=|Wm-Ws|=|4,20-5,00|=0,80eV