¿Cuál es la diferencia entre las obleas de silicio monocristalino tipo p y tipo n?

La diferencia entre las obleas de silicio monocristalino tipo p y tipo n es la siguiente:

El tipo N es un tipo de conductividad electrónica y el tipo P es un tipo de conductividad hueca. .

El silicio monocristalino dopado con fósforo es de tipo N. Cuanto más fósforo esté dopado, más electrones libres, más fuerte será la conductividad y menor será la resistividad;

Silicio monocristalino dopado con boro. Es el tipo P, cuanto más dopado está el boro, más agujeros generados por el silicio se pueden reemplazar, más fuerte es la conductividad y menor es la resistividad.