Parámetros del transistor de efecto de campo yp11113

Los parámetros son los siguientes:

1. IDSS, corriente de fuente de drenaje saturada, se refiere al transistor de efecto de campo de puerta aislada de unión o agotamiento cuando el voltaje de puerta UGS = 0 drenaje- fuente de corriente.

2. UP, voltaje de pellizco, se refiere al voltaje de compuerta cuando la conexión drenaje-fuente simplemente se corta en una unión o un transistor de efecto de campo de compuerta aislado de tipo empobrecimiento.

3. UT, voltaje de encendido, se refiere al voltaje de compuerta en el transistor de efecto de campo de compuerta aislada mejorada cuando el drenaje y la fuente recién se encienden.

4. gM, transconductancia, representa la capacidad del voltaje puerta-fuente UGS para controlar la ID de la corriente de drenaje, es decir, la relación entre el cambio en la ID de la corriente de drenaje y el cambio en la ID de la puerta. voltaje de fuente UGS. gM es un parámetro importante para medir la capacidad de amplificación de un transistor de efecto de campo.

5. El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje de BUDS se refiere al tiempo UGS del voltaje de la fuente de puerta y el voltaje máximo de la fuente de drenaje que el transistor de efecto de campo puede soportar durante el funcionamiento normal. Este es un parámetro límite, que es. añadido al transistor de efecto de campo. El voltaje de funcionamiento debe ser inferior a BUDS.

6. La disipación de potencia máxima de PDSM también es un parámetro límite. Se refiere a la potencia de disipación de fuente de drenaje máxima permitida cuando el rendimiento del transistor de efecto de campo no se deteriora. El consumo del transistor de efecto de campo debe ser menor que el PDSM con un cierto margen.

7. La corriente máxima de drenaje-fuente de IDSM es un parámetro límite, que se refiere a la corriente máxima permitida para pasar entre el drenaje y la fuente cuando el tubo de efecto de campo está funcionando normalmente. El tubo de efecto de campo no debe exceder el IDSM.