¿Cómo configurar los parámetros de IGBT en la simulación Sabre?
1. IGBT, sin capa intermedia, transistor
Este modelo proviene del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) y se basa sobre la física del dispositivo El modelo, que lleva el nombre de su investigador principal A.R. Hefner, refleja con mayor precisión las características de corriente, voltaje y carga del IGBT. Refleja con precisión las características de corriente, voltaje y carga del IGBT.
2. Controlador de hoja de datos del IGBT, transistor
Este es un modelo que caracteriza el comportamiento del IGBT. Los parámetros que requiere se pueden obtener básicamente de la hoja de datos del dispositivo. reflejan las características estáticas del IGBT, la capacitancia entre electrodos no lineal y la corriente de activación cuando el IGBT está apagado.
3. Hoja de datos del IGBT impulsado, térmico estático.
Este es un modelo que caracteriza el comportamiento del IGBT. Los parámetros requeridos se pueden obtener básicamente de la hoja de datos del dispositivo y se pueden obtener. refleja las características térmicas estáticas del IGBT, el efecto de modulación del canal, la capacitancia entre electrodos no lineal y la corriente de activación cuando el IGBT está apagado. Estos IGBT se pueden utilizar ampliamente en diversas aplicaciones.
4. Térmico dinámico impulsado por hoja de datos
Este es un modelo que caracteriza el comportamiento del IGBT. Los parámetros que requiere se pueden obtener básicamente de la hoja de datos del dispositivo y puede responder de forma dinámica. características térmicas de IGBT, efectos de modulación de canal, capacitancia entre electrodos no lineal y corriente de estela cuando se apaga IGBT. Características térmicas dinámicas, efectos de modulación de canal, capacitancia entre electrodos no lineal y corriente de cola durante el apagado de IGBT.
5. Autocalentamiento del buffer IGBT, transistor
Este modelo proviene del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) y está basado en el modelo de Henfer de autocalentamiento del buffer. Este modelo se basa en el nombre del investigador principal A.R Hefner y refleja con precisión las características térmicas dinámicas, de corriente, de voltaje y de carga del IGBT. Carga y características térmicas dinámicas de los IGBT.
6. Capa buffer IGBT, transistor
Este modelo proviene del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST), basado en el modelo Henfer Band Buffer Layer que lleva el nombre de su investigador principal A.R. Hefner, refleja con precisión las características de corriente, voltaje y carga de los IGBT.
7. Transistor autocalentable
Este modelo proviene del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST). Está basado en el modelo de Henfer que lleva el nombre de su investigador principal A.R. Puede reflejar con precisión las características de corriente, voltaje y carga del IGBT.
Los parámetros requeridos para cada modelo son diferentes. Para parámetros específicos, consulte las instrucciones IGBT correspondientes en saber, haga clic derecho para ver la plantilla y configurarla.