¿Qué es el s8050?
El S8050 es un transistor de silicio epitaxial NPN con capacidades de baja tensión y alta corriente, lo que lo convierte en un producto destacado para aplicaciones de amplificación push-pull y conmutación general.
El transistor S8050 contiene tres capas, una de las cuales es una capa semiconductora dopada con P encapsulada entre las otras dos capas dopadas con N. La capa dopada con P representa el terminal base, mientras que las otras dos capas representan el emisor y el colector respectivamente. El transistor S8050 tiene dos uniones PN: una unión emisor-base con polarización directa y una unión base-colector con polarización inversa.
Cabe señalar que el transistor S8050 debe funcionar en modo de polarización directa para obtener un mejor rendimiento. Si el transistor no tiene polarización directa, no habrá corriente en el colector sin importar cuánto voltaje se aplique al terminal de la base. La amplificación es una forma sencilla en la que un transistor absorbe una pequeña corriente cuando se aplica un voltaje al terminal de la base, que luego se utiliza para controlar una corriente grande en los otros terminales.
Principio de funcionamiento del S8050
En el transistor NPN S8050, cuando la base está conectada a tierra, ambos terminales, como el emisor y el colector, tendrán polarización inversa y proporcionarán una señal. estará desactivado (sesgado hacia adelante). El valor de ganancia máxima del transistor S8050 es 300. Este valor determinará la capacidad de amplificación. Si la tasa de amplificación es alta, se utilizará para la amplificación.
Sin embargo, el valor de ganancia de la corriente del colector será 110 y el suministro máximo de corriente desde todo el terminal del colector es de 700 mA, por lo que no podemos controlar diferentes cargas pasando más de 700 mA a través de este transistor. El transistor se puede polarizar una vez que se proporciona un suministro de corriente al pin de la base, que debe limitarse a 5 mA.
Una vez que este transistor está totalmente polarizado, permite suministrar hasta 700mA de corriente a través de los terminales del emisor y del colector, de ahí que a esta fase se le llame región de saturación. Los voltajes típicos utilizados en VCE o VCB son 20 V y 30 V respectivamente. Una vez que se elimina la fuente de corriente en el terminal base del transistor, se apaga, por lo que esta fase se denomina región de corte.