¿Qué significa lectura y escritura de memoria?

Pregunta 1: ¿Qué significa leer y escribir? Si se refiere a computadoras. Generalmente se refiere a la lectura de datos de la memoria (leer los datos de la memoria) y escribir (escribir los datos que se almacenarán en la memoria).

Pregunta 2: ¿Cuál es el proceso de lectura y escritura de la memoria? Inicio Área de Compras Área de Abastecimiento Información Técnica Protección Ambiental Información Comercial Electrónica Mi B2BIC

5.1 Conocimientos básicos de sistemas de memoria

Autor: Hora: 2008-04-10 Fuente:

5.1.1 Clasificación de la memoria

Según los diferentes medios de almacenamiento, la memoria se puede dividir en memoria semiconductora, memoria magnética y memoria láser.

Aquí sólo hablamos de la memoria semiconductora que constituye la memoria.

Según las diferentes funciones de acceso de la memoria, la memoria semiconductora se puede dividir en memoria de solo lectura (memoria de solo lectura, denominada ROM) y memoria de acceso aleatorio (memoria de acceso aleatorio, denominada RAM)

1. Solo memoria de lectura (ROM)

La característica de la ROM es que una vez que la información se escribe en la memoria, se puede almacenar durante mucho tiempo y la información no se perderá. debido a un corte de energía. Cuando la computadora está en funcionamiento, solo puede leer la información en la memoria de solo lectura y no puede escribir más información. Generalmente, la memoria de solo lectura se utiliza para almacenar programas y datos fijos, como programas de monitoreo de microcomputadoras, programas de ensamblaje, programas de usuario, tablas de datos, etc. Según diferentes métodos de programación, la ROM*** se divide en los siguientes cinco tipos:

(1) ROM de proceso de máscara

Este tipo de ROM es lo que el fabricante del chip quiere almacenar Según la información ROM, se producen máscaras semiconductoras diseñadas y fijadas. Una vez elaborado el producto terminado, la información almacenada se puede leer y utilizar, pero no se puede cambiar. Este tipo de ROM se utiliza a menudo en la producción en masa y el costo de producción es relativamente bajo. Algunos programas fijos o datos de microcomputadoras suelen almacenarse en este tipo de ROM.

(2) ROM programable de una sola vez (PROM)

Para permitir a los usuarios escribir ROM según sus propias necesidades, los fabricantes han producido una PROM. Permite a los usuarios programarlo una vez: escribiendo datos o programas. Una vez programada, la información queda fijada permanentemente. Los usuarios pueden leerlo y utilizarlo, pero ya no pueden cambiar su contenido.

(3) ROM regrabable borrable por ultravioleta (EPROM)

El contenido del chip ROM regrabable también lo escribe el usuario, pero se permite el borrado y la reescritura repetidos. EPROM es un chip de memoria de sólo lectura que se programa con señales eléctricas y se borra con luz ultravioleta. Hay una ventana circular en el centro de la parte superior de la carcasa del chip, y la información original se puede borrar haciendo brillar luz ultravioleta a través de esta ventana. Dado que la luz solar contiene componentes ultravioleta, la ventana debe sellarse con una etiqueta opaca después de escribir el programa para evitar dañar el programa debido a la exposición a la luz solar. Los chips EPROM típicos son los productos de la serie 27 de Intel. Hay muchos modelos según las diferentes capacidades de almacenamiento, como 2716 (2KB′8), 2732 (4KB′8), 2764 (8KB′8), 27128 (16KB′8), 27256. (32KB′8), etc. El número después del nombre del modelo indica su capacidad de almacenamiento.

(4) ROM regrabable borrable eléctricamente (EEPROM o E2PROM)

Este es un chip ROM que se programa y se borra con señales eléctricas. Puede ser leído por La operación de escritura lee y. Escribe las celdas de memoria una por una, y las operaciones de lectura y escritura son casi las mismas que las de la memoria RAM, excepto que la velocidad de escritura es más lenta. Sin embargo, la información se puede conservar después de apagar la alimentación. Los chips E2PROM típicos incluyen 28C16, 28C17, 2817A, etc.

(5) Flash ROM (flash ROM)

Aunque E2PROM tiene las características de ser legible y grabable, la velocidad de escritura es lenta y no es conveniente de usar. Flash ROM es una memoria de solo lectura desarrollada sobre la base de EPROM y E2PROM. Tiene velocidades de lectura y escritura rápidas, un tiempo de acceso de hasta 70 ns y una capacidad de almacenamiento de 16 MB a 128 MB. Este chip se puede reescribir entre 10.000 y 1 millón de veces. Los chips ROM flash típicos incluyen 28F256, 28F516, AT89, etc.

2. Memoria RAM de acceso aleatorio (también llamada memoria de lectura-escritura)

La memoria RAM de lectura-escritura se puede dividir en RAM bipolar y RAM de óxido metálico según su proceso de fabricación.

(1) RAM bipolar

La característica principal de la RAM bipolar es un tiempo de acceso corto, generalmente de varias a decenas de nanosegundos (ns). En comparación con la RAM tipo MOS que se menciona a continuación, tiene baja integración, alto consumo de energía y precio más alto. Por tanto, la RAM bipolar se utiliza principalmente en microcomputadoras que requieren tiempos de acceso cortos.

(2) RAM de óxido metálico (MOS)

Usar MO...gt;gt

Pregunta 3: Lectura y escritura de memoria 20 puntos RAM, disco duro, disco óptico, protector

Pregunta 4: ¿Qué es la memoria de acceso al contenido? La memoria asociativa es un tipo de memoria al que se accede por contenido. Cada unidad de almacenamiento tiene un vástago eléctrico correspondiente, que se puede utilizar. Se busca en el caché y toda la matriz de memoria realiza operaciones de coincidencia de datos al mismo tiempo.

Pregunta 5: 4. ¿Cuáles son las operaciones de lectura y escritura de la memoria? 1. La memoria procesa CS:IP a través del procesador adicional para obtener una dirección física.

2. A través de la dirección La línea encuentra la dirección física en la memoria y encuentra el código de máquina correspondiente, es decir, la instrucción ensambladora en la memoria de direcciones físicas

3. El código de máquina llega al búfer de instrucciones a través de los datos bus

4. Ejecución de código máquina

Ya sea lectura o escritura depende de las instrucciones de ensamblaje

Pregunta 6: ¿Qué significa plataforma de lectura y escritura? La mayoría de las memorias internas modernas son memorias semiconductoras que utilizan un circuito integrado de gran escala o un dispositivo de circuito integrado de muy gran escala. La memoria interna se puede dividir en memoria de acceso aleatorio (denominada memoria de acceso aleatorio o RAM) y memoria de solo lectura (denominada ROM) según sus diferentes métodos de funcionamiento.

Pregunta 7: ¿Qué hacen los móviles? almacenamiento del teléfono y almacenamiento integrado significan5 Dividir el almacenamiento del teléfono móvil se refiere al "almacenamiento integrado" y al "almacenamiento externo" del teléfono móvil. Externa es la llamada tarjeta D extendida, 4G, 8G, etc. agregada por nuestros usuarios. En resumen, además de la tarjeta SD, es el almacenamiento integrado del teléfono móvil. Generalmente, los teléfonos móviles sólo tienen unos pocos cientos de megabytes. Un buen teléfono móvil puede ser más grande. no podemos cambiarlo.

Pregunta 8: ¿Qué significa el búfer que almacena los datos leídos? Búfer: la ubicación donde los datos leídos se almacenan temporalmente para facilitar el procesamiento posterior

Desplazamiento inicial: desde qué comenzar a almacenar la posición. Si el bit de datos en el búfer es nulo, el desplazamiento inicial es 0, si el búfer ya tiene datos y desea agregar los nuevos datos a los datos originales, entonces necesita encontrar los primeros datos nulos. el valor del byte es 0

Bloqueo: cuando este método opera el búfer, otros subprocesos asincrónicos no pueden llamarlo

Espero que esto pueda ayudarlo

Pregunta 9: La relación entre las velocidades de lectura y escritura de varias memorias generalmente se divide en dos tipos: memoria ROM de solo lectura y memoria RAM de acceso aleatorio. Las ROM más utilizadas son NAND FLASH y NOR FLASH. La velocidad de escritura de NAND es más rápida que NOR y la velocidad de lectura de NOR es más rápida que NAND.

La memoria de acceso aleatorio se divide en RAM estática (SRAM) y RAM dinámica (DRAM), y la velocidad es SR DDR3gt; ¿Qué se hace? ¿Recuerdo que el libro Principios de microcomputadoras tiene una explicación detallada? Los datos deben leerse y escribirse en función de direcciones lógicas y direcciones físicas