Cómo identificar chips de memoria.

Memoria Samsung

Explicación de significado específico:

Ejemplo: SAMSUNGK4H280838B-TCB0

Significado principal:

Bit número 1: función de chip K, que representa el chip de memoria.

Dígito 2: tipo de chip 4, que representa la DRAM.

Número 3: descripción adicional del tipo de chip, S significa SDRAM, H significa DDR y G significa SGRAM.

Dígitos 4 y 5: capacidad y frecuencia de actualización. La memoria con la misma capacidad usa diferentes frecuencias de actualización y también usará números diferentes. 64, 62, 63, 65, 66, 67 y 6A representan una capacidad de 64 Mbit; 28, 27 y 2A representan una capacidad de 128 Mbit; 56, 55, 57 y 5A representan una capacidad de 256 Mbit;

Dígitos 6 y 7: el número de pines de línea de datos, 08 representa datos de 8 bits; 32 representa datos de 32 bits;

Nº 11——Conectar "-".

Bits 14 y 15: velocidad del chip, como 60 es 6 ns; 70 es 7 ns; es de 10ns (66MHz).

Después de conocer el significado de los dígitos principales de la codificación de las partículas de memoria, es muy fácil calcular la capacidad de una tarjeta de memoria después de adquirirla. Por ejemplo, una memoria DDR de Samsung está empaquetada con 18 partículas SAMSUNGK4H280838B-TCB0. Los dígitos 4 y 5 del número de partícula "28" representan que la partícula tiene 128 Mbits, los dígitos 6 y 7 "08" representan que la partícula tiene un ancho de banda de datos de 8 bits, por lo que podemos calcular la capacidad del módulo de memoria. es 128 Mbits (megabits) × 16 piezas/8 bits = 256 MB (megabytes).

Nota: "bit" significa "dígito", "B" significa byte "byte", si un byte tiene 8 bits, divídalo por 8 al calcular. Con respecto al cálculo de la capacidad de la memoria, hay dos situaciones en los ejemplos dados en el artículo: una es memoria no ECC, y cada 8 partículas con un ancho de datos de 8 bits puede formar una memoria, la otra es memoria ECC, cada 64; -bit data, también se agrega un código de verificación ECC de 8 bits. A través del código de verificación se pueden detectar errores de dos bits en los datos de la memoria y se pueden corregir errores de un bit. Por lo tanto, en el proceso de cálculo de capacidad real, el bit de paridad no se calcula y la capacidad real de un módulo de memoria de 18 chips con función ECC se multiplica por 16. En el momento de la compra, también puede utilizar esto para determinar si un módulo de memoria con 18 o 9 chips de memoria es una memoria ECC.

Hynix (Hyundai) Hyundai

·"8" es la estructura del chip de memoria, lo que significa que la memoria está compuesta por 8 chips. (4=4 chips; 8=8 chips; 16=16 chips; 32=32 chips)

·"2" se refiere al banco (bit de ahorro) de la memoria. (1=2 banco; 2=4 banco; 3=8 banco)

·“2” indica que el tipo de interfaz es SSTL_2. (1=SSTL_3; 2=SSTL_2; 3=SSTL_18)

·"B" es el nombre del código del kernel para la tercera generación. (En blanco=1.ª generación; A=2.ª generación; B=3.ª generación; C=4.ª generación)

·Consumo de energía, en blanco significa normal; L significa bajo consumo de energía, este módulo de memoria El código de consumo de energía es vacío y por tanto de tipo normal.

·El tipo de embalaje está representado por "T", que es el embalaje TSOP. (T=TSOP; Q=LOFP; F=FBGA; FC=FBGA)

·Pila de paquetes, en blanco=normal; S=Hynix; K=M&T=otro; ;MU=MCP(UTC), la memoria anterior está en blanco, lo que significa que es una pila de encapsulación normal.

·Materias primas de embalaje, en blanco = ordinarias; P = plomo; H = halógeno; La memoria está hecha de materiales de embalaje comunes.

·"D43" indica que la velocidad de la memoria es DDR400.

(D43=DDR400, 3-3-3; D4=DDR400, 3-4-4; J=DDR333; M=DDR333, 2-2-2; K=DDR266A; H=DDR266B; L=DDR200)

·Temperatura de funcionamiento, generalmente omitida. I=Temperatura normal industrial (-40~85 grados); E=Temperatura extendida (-25~85 grados)

El significado de la memoria moderna:

HY5DV641622AT-36

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

1. HY representa un producto moderno

2. Tipo de chip de memoria: (57=SDRAM, 5D=DDRSDRAM);

3. Tecnología de procesamiento y voltaje de trabajo: (en blanco=5V; V: VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U: VDD=2.5V & VDDQ=2.5V; W: VDD=2.5V & VDDQ=1,8 V; S: VDD=1,8 V & VDDQ=1,8 V)

4. Densidad de capacidad del chip y frecuencia de actualización: 16 = 16 Mbits, 4KRef 64: actualización 4K de 64 M; 8KRef; 65=64Mbits, 4KRef; 66: actualización de 64M 2K; 56: actualización de 256M 8K; 6Mbits, 16KRef; 257 = 256Mbits, 8KRef; 12: actualización de 512M 8K; 1G: actualización de 1G 8K

5 Representa el ancho de bits de datos emitido por el chip: 40, 80, 16 y 32 representan 4 bits, 8. -bit y 16 bits respectivamente y 32 bits

6 Número de BANCOS: 1, 2 y 3 representan 2, 4 y 8 bancos respectivamente, que es una relación de potencia de 2. /p>

7. Interfaz de E/S: 1: SSTL_3, 2: SSTL_2

8. Versión del núcleo del chip: puede estar en blanco o con letras como A, B, C, D, etc. Cuanto más tarde sea, más nuevo será el núcleo.

9. Representa el consumo de energía: L = chip de bajo consumo, en blanco = chip normal

10. JC=400milSOJ, TC=400milTSOP-Ⅱ, TD=13mmTSOP-Ⅱ, TG=16mmTSOP -Ⅱ

11. Velocidad de trabajo: 55:183MHZ, 5:200MHZ, 45:222MHZ, 43:233MHZ, 4. :250MHZ, 33:300NHZ, L:DDR200, H:DDR266B, K:DDR266A

Partículas empaquetadas mBGA modernas

Infineon (Infineon)

Infineon es un La filial de Siemens en Alemania, una filial de Siemens, se encuentra actualmente en el mercado nacional. Las partículas de memoria producidas sólo están disponibles en dos capacidades: partículas con una capacidad de 128 Mbits y partículas con una capacidad de 256 Mbits. La capacidad de la memoria y el ancho de los datos se detallan en el número. El modelo de gestión y organización de colas de memoria de Infineon es que cada partícula está compuesta por 4 bancos. Por lo tanto, sus modelos de partículas de memoria son relativamente pequeños y son los más fáciles de identificar.

HYB39S128400 tiene 128 MB/4 bits, "128" identifica la capacidad de la partícula y los últimos tres dígitos identifican el ancho de los datos de la memoria. Lo mismo ocurre con otros, como por ejemplo: HYB39S128800 tiene 128 MB/8 bits; HYB39S128160 tiene 128 MB/16 bits;

La velocidad de trabajo de las partículas de memoria de Infineon se expresa agregando una línea corta al final del número de modelo y luego marcando la velocidad de trabajo.

-7.5——Indica que la frecuencia de trabajo de la memoria es 133MHz;

-8——Indica que la frecuencia de trabajo de la memoria es 100MHz.

Por ejemplo:

Un módulo de memoria Kingston se produce utilizando 16 chips de memoria Infineon HYB39S128400-7.5. Su capacidad se calcula así: 128Mbits (megabytes) × 16 piezas/8 = 256MB (megabytes).

Un módulo de memoria Ramaxel se produce utilizando 8 chips de memoria Infineon HYB39S128800-7.5. Su capacidad se calcula como: 128Mbits (megabytes) × 8 cortes/8 = 128MB (megabytes).

KINGMAX, kti

Instrucciones para la memoria KINGMAX

La memoria Kingmax está empaquetada en TinyBGA (Tinyballgridarray). Y este modo de empaquetado es un producto patentado, por lo que vemos que los módulos de memoria hechos de partículas Kingmax son todos producidos por la propia fábrica. Las partículas de memoria Kingmax están disponibles en dos capacidades: 64Mbits y 128Mbits. Aquí puede enumerar los modelos de partículas de memoria de cada serie de capacidad.

Observaciones sobre capacidad:

KSVA44T4A0A——64 Mbits, espacio de direcciones de 16 M × ancho de datos de 4 bits;

KSV884T4A0A——64 Mbits, espacio de direcciones de 8 M × 8- ancho de datos de bits;

KSV244T4XXX——128 Mbits, espacio de direcciones de 32 M × ancho de datos de 4 bits;

KSV684T4XXX——128 Mbits, espacio de direcciones de 16 M × ancho de datos de 8 bits

KSV864T4XXX——128Mbits, espacio de direcciones de 8M × ancho de datos de 16 bits.

La velocidad de trabajo de la memoria Kingmax tiene cuatro estados, que están separados por símbolos de guión después del número de modelo para identificar la velocidad de trabajo de la memoria:

-7A——PC133/CL =2;

-7——PC133/CL=3;

-8A——PC100/CL=2

-8——PC100/; CL=3.

Por ejemplo, una tarjeta de memoria Kingmax está hecha de 16 chips de memoria KSV884T4A0A-7A. Su capacidad se calcula como: 64 Mbits (megabytes) × 16 chips/8 = 128 MB (megabytes).

Micron (Micron)

Usando el número MT48LC16M8A2TG-75 para ilustrar las reglas de codificación de la memoria Micron.

Significado:

MT——Nombre del fabricante de Micron.

48 - Tipo de memoria. 48 representa SDRAM; 46 representa DDR.

LC——tensión de alimentación. LC representa 3V; C representa 5V; V representa 2,5V.

16M8: la capacidad de las partículas de memoria es de 128 Mbits. El método de cálculo es: 16 M (dirección) × ancho de datos de 8 bits.

A2——Número de versión del kernel de memoria.

TG - método de embalaje, TG es embalaje TSOP.

-75——Velocidad de trabajo de la memoria, -75 es 133MHz; -65 es 150MHz.

Ejemplo: una tarjeta de memoria MicronDDR está formada por 18 chips numerados MT46V32M4-75. Esta memoria admite la función ECC. Por tanto, cada banco tiene un número impar de partículas de memoria.

La capacidad se calcula como: capacidad 32M×4bit×16 piezas/8=256MB (megabytes).

Winbond (Winbond)

Explicación del significado:

WXXXXXXXX

12345

1. Las partículas son producidas por Winbond

2 Representa el tipo de memoria de video: 98 es SDRAM, 94 es DDRRAM

3 Representa el número de versión de las partículas: Los números de versión comunes son B. y H;

4. Paquetes representativos, H es el paquete TSOP, B es el paquete BGA, D es el paquete LQFP

5. , 125MHz Z ：7.5ns, 133MHz; Un gran fabricante de chips de memoria no suministra mucho a China continental, por lo que no estamos lo suficientemente familiarizados con él. Este número de partícula es V54C365164VDT45. Los dígitos 6 y 7 del número son 65, lo que significa que la partícula única es 64/8 = 8 MB. De los dígitos 8 y 9 del número, sabemos que el ancho de la partícula única es de 16 bits. Por los últimos tres dígitos del número, T45, sabemos que la velocidad de las partículas es 4,5 ns

NANYA (Nanya), Elixir, PQI, PLUSS, Atl, EUDAR

Nanya. Technology es el sexto fabricante de chips de memoria más grande del mundo y el único fabricante taiwanés de chips de memoria que obtuvo ganancias el año pasado de las empresas, ocupa el quinto lugar a nivel mundial. Esta memoria de video tiene el número NT5SV8M16CT-7K. El cuarto dígito "S" indica memoria de video SDRAM. Los dígitos sexto y séptimo, 8M, indican una capacidad de un solo chip de 8M. Los dígitos octavo y noveno, 16, indican un ancho de bits de un solo chip de 16 bits. -7K indica una velocidad de 7ns.

AP, Whichip, Mr.STONE, Lei, GOLD

M.tec (Qinmao), TwinMOS (Qinmao)

V-DATA (Hong Kong ADATA ), A-DATA (Taiwán ADATA), VT

El número de partícula de memoria es VDD8608A8A-6B H0327, que es una partícula de 6 nanosegundos, con 8 partículas por lado, 256 M de capacidad y 0327 representa su fecha de producción. es la semana 27 de 2003

A-DATA

Esta es la DDR500 de A-DATA