La computadora portátil coreana TG ingresa a la protección del Bios cuando se enciende ¿Cómo cambiarla?
Número de serie de la memoria
A partir del estándar PC100, la tarjeta de memoria tiene un chip SPD. El chip SPD es un pequeño chip de 8 pines en el lado derecho del frente del dispositivo. Tarjeta de memoria, que almacena la velocidad, frecuencia de funcionamiento, capacidad, voltaje de funcionamiento, versión CAS, tRCD, tRP, tAC, SPD y otra información de la tarjeta de memoria. Cuando la computadora está encendida, el BIOS de la placa base que admite la función SPD leerá la información en el SPD y establecerá el tiempo de acceso a la memoria de acuerdo con el valor leído. Podemos utilizar software de herramientas como SiSoft Sandra2001 para ver la información en el chip SPD. Por ejemplo, la SDRAM PC133U-333-542 que se muestra en el software representa las especificaciones técnicas de la memoria bajo prueba.
Las especificaciones técnicas de la memoria tienen un formato de etiquetado unificado, generalmente PCx-xxx-xxx, pero diferentes especificaciones de memoria tienen diferentes formatos.
1. Formato de etiqueta de memoria SDRAM PC66/100
(1) Versión 1.0---1.2
El formato de etiqueta de memoria de este tipo de versión es: PCa-bcd -efgh, como PC100-322-622R, donde a representa la frecuencia operativa estándar, expresada en MHZ (como 66MHZ, 100MHZ, 133MHZ, etc. b representa el CL mínimo (es decir, espera de acceso a la columna CAS); tiempo), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3; c significa el Trcd mínimo (el retraso de RAS con respecto a CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2, significa TRP (tiempo de precarga de; RAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente es 2; e representa el tAC máximo (tiempo de lectura de datos relativo al borde inferior del reloj), que generalmente es 6 (ns) o 6,5, cuanto más corto, mejor; representa el número de versión de SPD, que está presente en todos los módulos de memoria PC100. Hay EEPROM, que se utiliza para registrar la información relevante de este módulo de memoria. La versión que cumple con la especificación Intel PC100 es la versión 1.2 o superior. revisión; h representa el tipo de módulo; R representa que el DIMM ha sido registrado y se debe registrar una memoria superior a 256 MB.
(2) Versión 1.2b+
El formato es: PCa-bcd-eeffghR, como PC100-322-54122R, donde a representa la frecuencia operativa estándar, expresada en MHZ; b representa el CL mínimo (es decir, el tiempo de espera de acceso a la columna CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3 c representa el Trcd mínimo (el retraso entre RAS y CAS), expresado en el número de ciclos de reloj; d representa TRP (tiempo de precarga de RAS), expresado en el número de ciclos de reloj; ee representa el tiempo de lectura de datos en relación con el borde inferior del reloj, expresado sin punto decimal, como 54 representa 5,4 ns tAC; versión, como 12 representa la versión SPD 1.2; g representa la revisión, por ejemplo, 2 representa la revisión 1.2; h representa el tipo de módulo que se ha registrado y se debe registrar la memoria superior a 256 MB.
2. Formato de etiquetado de memoria PC133 SDRAM (versión 2.0)
Tanto VIA como Intel han propuesto el estándar PC133 SDRAM. La especificación PC133 promovida por VIA es PC133 CAS=3, que será. Continuará con la mayoría de las especificaciones de PC100, como SDRAM de 168 líneas, voltaje de trabajo de 3,3 V y SPD; la especificación PC133 de Intel es más estricta, PC133 CAS = 2, que requiere que el chip de memoria tenga al menos 7,5 ns. y lo mejor es lograr CAS a 133MHz =2.
El formato de etiquetado de PC133 SDRAM es: PCab-cde-ffg, como PC133U-333-542, donde a representa la frecuencia de funcionamiento estándar en MHZ; b representa el tipo de módulo (R representa DIMM registrado, U representa; El búfer DIMM no está incluido; c representa el CL mínimo (es decir, el tiempo de retraso de CAS), expresado en el número de ciclos de reloj, generalmente 2 o 3 d representa el retraso de RAS en relación con CAS, expresado en el número de; ciclos de reloj; e representa la precarga de RAS El tiempo está representado por el número de ciclos de reloj; ff representa el tiempo de lectura de datos en relación con el borde inferior del reloj, expresado sin punto decimal, por ejemplo, 54 representa 5,4 ns tAC g representa el SPD; versión, como 2 representa la versión 2.0 del SPD.
3. Formato de etiquetado de memoria PC1600/2100 DDR SDRAM (versión 1.0)
El formato es: PCab-ccde-ffg, como PC2100R-2533-750, donde a representa la memoria. Ancho de banda, la unidad es MB/s; a*1/16=frecuencia operativa estándar de la memoria, por ejemplo, 2100 representa el ancho de banda de la memoria de 2100 MB/s y la frecuencia operativa estándar correspondiente es 2100*1/16=133 MHZ; tipo de módulo (R Significa que el DIMM ha sido registrado y U significa que el DIMM no contiene un buffer; cc significa el tiempo de retardo de CAS, expresado en ciclos de reloj, sin punto decimal cuando se expresa, por ejemplo, 25 significa CL = 2,5; d significa el retraso de RAS en relación con CAS, expresado en ciclos de reloj. Expresado como un número; e representa el tiempo de precarga de RAS, expresado en el número de ciclos de reloj; ff representa el tiempo de lectura de datos en relación con el borde inferior; reloj, expresado sin punto decimal, como 75 representa 7.5ns tAC; g representa la versión de SPD, como 0 representa La versión de SPD es
4. p>El formato es: aMB/b c d PCe, como 256 MB/16 ECC PC800, donde a representa la capacidad de memoria; b representa la memoria. El número de partículas de memoria en la barra c representa que la memoria admite ECC; ;e representa la velocidad de transferencia de datos de la memoria, e*1/2 = la frecuencia operativa estándar de la memoria, por ejemplo, 800 representa la velocidad de transferencia de datos de la memoria de 800Mt/s, correspondiente a La frecuencia operativa estándar es 800*1 /2=400MHZ.
5. El número de chip de memoria de cada fabricante
Además de identificar el formato de la etiqueta de memoria, el método antifalsificación también puede utilizar el chip de memoria grabado. número El número en el chip de memoria. Por lo general, hay varios chips de memoria en el chip de memoria. Los números en los chips de memoria varían según el fabricante.
Dado que HY y SEC de Corea del Sur representan la mayor parte. En la mayor parte de la producción mundial de memoria, los chips de memoria que producen tienen una calidad estable y precios bajos. Además, LGS, Kingmax, Jinbang Gold Bar y otras memorias también son populares en el mercado. Los números de chip primero.
(1) HYUNDAI (moderno)
La memoria SDRAM moderna tiene muy buena compatibilidad. Las placas base que admiten DIMM generalmente pueden usarla sin problemas. HY 5a b cde fg h i j k lm-no
HY representa productos modernos; 5a representa el tipo de chip (57=SDRAM, 5D=DDRSDRAM); b representa el voltaje de funcionamiento (en blanco=5V, V=3.3V, U); =2.5V representa capacidad y velocidad de actualización (16=16Mbits, 4K Ref, 64=64Mbits, 8K Ref, 65=64Mbits, 4K Ref, 128=128Mbits, 8K Ref, 129=128Mbits, 4K Ref, 256=256Mbits); , 16K Ref, 257 = 256Mbits, 8K Ref); fg representa el ancho de bits de datos emitido por el chip (40, 80, 16 y 32 representan 4 bits, 8 bits, 16 bits y 32 bits respectivamente); número de componentes internos del chip de memoria (1, 2 y 3 representan 2, 4 y 8 bancos respectivamente, que es una relación de potencia de 2) representa la interfaz (0 = LVTTL [TTL de bajo voltaje]); interfaz); j representa la versión del kernel (puede estar en blanco o letras como A, B, C, D, etc., cuanto más tarde es el núcleo, más nuevo es k representa el consumo de energía (L = chip de bajo consumo); , en blanco = chip ordinario); lm representa la forma del embalaje (JC = 400 mil SOJ, TC = 400 mil TSOP-II, TD = 13 mm TSOP-II, TG = 16 mm
TSOP-II); (7=7ns [143MHz], 8=8ns [125MHz], 10p=10ns [PC-100 CL2 o 3], 10s=10ns [PC-100 CL3], 10=10ns [100MHz], 12=12ns [83MHz] , 15=5ns [66MHz]).
Por ejemplo, HY57V658010CTC-10s, HY representa un chip moderno, 57 representa SDRAM, 65 representa ciclos de actualización de 64 Mbit y 4K/64 ms, 8 representa salida de 8 bits, 10 representa 2 bancos y C representa el Cuarta versión El núcleo, TC, es un paquete TSOP-II de 400 mil y 10S representa PC-100 con CL=3.
Los números HY comunes en el mercado incluyen HY57V65XXXXXTCXX y HY57V651XXXXXATC10. Entre ellos, la SDRAM numerada ATC10 es muy difícil de alcanzar los 133MHz, la numerada ATC8 puede exceder los 124MHz, pero no puede alcanzar los 133MHz; BTC o -7, - 133MHz en SDRAM de 10p es muy estable. En términos generales, si los dos últimos dígitos del número son 7K, significa que el FSB de la memoria es PC100, y si el FSB es 75, significa PC133. Sin embargo, la memoria moderna con el último número que termina en 75 existe desde hace mucho tiempo. descontinuado y se ha cambiado a T-H, el número de cola, pero todavía hay muchas memorias PC133 modernas en el mercado con el número de cola 75. Puede que se trate de un stock anterior, pero la posibilidad es muy pequeña y la posibilidad de falsificaciones es alta. mayor, por lo que es mejor comprar PC133 con el número de cola T-H Memoria moderna.
(2) LGS [LG Semicon]
LG ahora se ha fusionado con HY, y los chips de memoria de LG también son muy comunes en el mercado.
El formato del número del chip de memoria LGS SDRAM es: GM72V ab cd e 1 f g T hi
Donde GM representa el producto LGS 72 representa la SDRAM; 64 Mbits); cd representa el ancho de bits de datos (generalmente 4, 8, 16, etc.); e representa el Banco (2 = 2 Bancos, 4 = 4 Bancos) representa la versión del núcleo, que se ha clasificado al menos en E); ; g representa el consumo de energía (L = bajo consumo de energía, en blanco = normal) T representa el paquete (T = paquete TSOPⅡ común, I = paquete BLP hi representa la velocidad (7,5 = 7,5 ns [133 MHz], 8 = 8 ns [125 MHz); ], 7K=10ns [PC-100 CL2 o 3], 7J=10ns [100MHz], 10K=10ns [100MHz], 12=12ns [83MHz], 15=15ns [66MHz]).
Por ejemplo, GM72V661641CT7K significa SDRAM de LG, 64 Mbit, salida de 16 bits, 4 bancos, velocidad de 7 K, es decir, PC-100, CL=3.
En el sufijo numérico LGS, 7.5 es la memoria PC133; 8 es la memoria real de 8ns PC 100, que es más rápida que 7K/7J y 7J pertenecen a PC 100 SDRAM, y la principal diferencia entre ellos; es el tercero En términos de parámetros de velocidad de respuesta, 7K es más rápido que 7J y 7K es más estable que 7J a 133MHz. 10K no tiene especificaciones PC100 y es extremadamente lento Debido a su apariencia similar a 7J/7K, muchos se aprovechan. Hágalos pasar como 7J/7K. Ven y véndelo por 7K.
(3) Kingmax (Shengchuang)
La memoria de Kingmax utiliza el método de empaquetado avanzado TinyBGA, mientras que la memoria SDRAM general utiliza el empaquetado TSOP. El tamaño de la memoria empaquetada en TinyBGA es un tercio del tamaño de la memoria empaquetada TSOP. Puede triplicar la capacidad de almacenamiento en el mismo espacio, y es más pequeño y delgado. Su sustrato metálico para el disipador de calor es la disipación de calor más efectiva. La ruta es de solo 0,36 mm y la impedancia de línea también es pequeña, por lo que tiene un buen rendimiento y estabilidad de overclocking. Sin embargo, la compatibilidad entre la memoria Kingmax y el chipset de la placa base no es muy buena. Por ejemplo, la memoria Kingmax PC150 no se puede iniciar en algunos KT133. placas base.
La memoria SDRAM Kingmax actualmente tiene tres tipos: PC150, PC133 y PC100.
Entre ellos, la memoria PC150 (que se muestra a continuación) es en realidad un módulo de memoria PC133 de alta calidad que puede admitir 150 FSB y es estable en CL=3 (algunos pueden admitir CL=2 principalmente). Resuelve el problema de compatibilidad de la placa base con el chipset VIA 694X, por lo que es mejor que la versión REV1.1. Al comprar memoria Kingmax, debe tener cuidado de no comprar tiras de pulido. JS en el mercado a menudo pule la memoria Kingmax PC100 de 8 ns original en memoria PC133 o PC150 de 7 ns, por lo que será mejor que utilice SISOFT SANDRA2001, etc. la velocidad de la memoria, preste atención a si la escritura en la memoria es clara, si hay rayones regulares, si la superficie del chip es blanca, etc., y observe el número en el chip.
La memoria KINGMAX PC150 utiliza partículas de 6 nanosegundos, lo que mejora enormemente su velocidad. Incluso si la usa para trabajar en PC133, su velocidad será mayor que la del chip de memoria PC133 normal. -7, como el número KSV884T4A1A-07, y el chip de memoria PC100 tiene dos situaciones: algunas son -8 (como el número KSV884T4A0-08) y otras son -7 (como el número KSV884T4A0-07). La diferencia entre KINGMAX PC133 y PC100 es que una parte considerable de la memoria de PC100 se puede overclockear a 133, pero no toda, mientras que la memoria de PC133 puede garantizar un funcionamiento 100% estable en el FSB de PC133 (CL=2);
(4) Geil (Jinbang, Yuan Qiaofeng Gold Bar)
Los lingotes de oro Jinbang se dividen en cinco tipos de tarjetas de memoria: "doradas, rojas, verdes, plateadas y azules". Los SPD de Jinbang Gold
están todos determinados y corresponden a diferentes placas base. Entre ellos, la barra dorada roja es la memoria PC133; la barra dorada P es para el sistema de servidor PC133, adecuada para placas base de procesador dual; la barra dorada verde es la memoria PC100; la barra dorada azul A es para las placas base de la serie AMD750/760 K7; , para reproductores de overclocking; la barra dorada azul V es para las placas base KX133; la barra dorada de color T azul es para la placa base KT-133; la barra dorada plateada es para la memoria PC133 de la computadora portátil.
Número de chip de memoria Goldbang, como GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
donde GL2000 representa el tipo de chip (GL2000=Millennium TSOP, que son pequeños y delgados paquetes, Gold SDRAM = BLP); GP representa el producto de Jinbang Technology; 6 representa la familia de productos (6 = SDRAM LC representa la tecnología de procesamiento (C = 5 V Vcc CMOS, LC = 0,2 micrones 3,3 V Vdd CMOS); 2,5 V Vdd CMOS); 16M8 es el número de dispositivo (profundidad * ancho, capacidad del chip de memoria = capacidad del chip de memoria * número de chips = 16 * 8 = 128 Mbit, donde 16 = capacidad del chip de memoria; 8 = número de chips; M = capacidad unidad, sin letra =Bits, K=KB, M=MB, G=GB; 4 representa la versión TG es el código del paquete (DJ=SOJ, DW=wide SOJ, F=54-pin FBGA de 4 filas; FB=60 pines 8*16 FBGA, FC=60 pines 11*13 FBGA, FP=paquete de chip inverso, FQ=sello de chip inverso, F1=FBGA de 2 filas de 62 pines, F2=84 pines, 2- fila FBGA, LF=FBGA de 90 pines, LG= TQFP, R1=micro FBGA de 2 filas de 62 pines, R2=micro FBGA de 2 filas de 84 pines, TG=TSOP (segunda generación), U=μ BGA); -7 es el tiempo de acceso (7=7ns (143MHz)); El número anterior indica Jinbang Millennium Bar, 128 MB, paquete TSOP (segunda generación), proceso de fabricación CMOS Vdd de 0,2 micrones y 3,3 V, 7 ns, velocidad de 143 MHz.
(5) SEC (Samsung Electronics, Samsung)
El número de chip de memoria Samsung EDO DRAM, como KM416C254D, significa: KM significa memoria Samsung; 4 representa el tipo de RAM (4=DRAM); 16 Representa la composición del chip de memoria x16 (1=x1 [en múltiplos de 1], 4=x4, 8=x8, 16=x16); C representa el voltaje (C=5V, V=3.3V representa la memoria); densidad de 256 Kbit (256[254] =256Kx, 512(514) = 512Kx, 1 = 1Mx, 4 = 4Mx, 8 = 8Mx, 16 =16Mx D representa la versión de la memoria (en blanco = 1.ª generación, A = 2.ª generación); , B = tercera generación, C = cuarta generación, D = quinta generación), es decir, memoria Samsung de 256 Kbit * 16 = 4 Mb.
El número de chip de memoria SDRAM de Samsung, como KM416S16230A-G10, significa: KM significa memoria de tres estrellas; 4 representa el tipo de RAM (4 = DRAM; 16 representa la composición del chip de memoria x16 (4 = x4, 8); = x8, 16 =x16); S representa SDRAM; 16 representa la densidad del chip de memoria de 16 Mbit (1 = 1 M, 2 = 2 M, 4 = 4 M, 8 = 8 M, 16 = 16 M) = 2K, 2 = 8K); 3 representa el número de fila de memoria (2 = 2 filas, 3 = 4 filas); 0 representa la interfaz de memoria (0 = LVTTL, 1 = SSTL); generación, A = 2.ª generación, B = 3.ª generación; G representa la fuente de alimentación (G = actualización automática, F = actualización automática de bajo voltaje 10 representa la frecuencia más alta (7 = 7 ns [143 MHz], 8 = 8 ns [125 MHz); ], 10 = 10 ns [100 MHz], H = 100 MHz @ el valor CAS es 2, L = 100 MHz @ el valor CAS es 3). Debe calcular la capacidad de Samsung usted mismo. El método consiste en multiplicar el número después de "S" por el número antes de S. El resultado es la capacidad, es decir, chip de memoria SDRAM Samsung de 16M * 16 = 256 Mbit, la actualización es. 8K y los bancos de memoria son 3. Interfaz de memoria LVTTL, memoria de segunda generación, actualización automática, velocidad de 10ns (100 MHz).
El formato del chip de memoria SDRAM estándar Samsung PC133 es el siguiente:
Tipo sin búfer: KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Tipo registrado: KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
Número de chip de memoria DRAM síncrona DDR de Samsung, como KM416H4030T, significa: KM significa memoria Samsung; 4 significa tipo de RAM (4=16 significa composición de chip de memoria x16 (4); =x4, 8=x8, 16=x16, 32=x32); H representa el voltaje de la memoria (H=DDR SDRAM[3.3V], L=DDR SDRAM[2.5V]); 4M, 8 = 8M, 16 = 16M, 32 = 32M, 64 = 64M, 12 = 128M, 25 = 256M, 51 = 512M, 1G = 1G, 2G = 2G, 4G = 4G); 0 representa actualización (0 = 64 m/4K [15,6 μs], 1 = 32 m/2 K
[15,6 μs], 2 = 128 m/8 K [15,6 μs], 3 = 64 m/8 K [7,8 μs] , 4 = 128 m/ 16 K [7,8 μs]); 3 representa el número de filas de memoria (3 = 4 filas, 4 = 8 filas) (0 = interfaz mixta LVTTL+SSTL_3 (3,3 V), 1 =SSTL_2(2.5V)); T representa el tipo de paquete (T=66-pin
TSOP II, B=BGA, C=micro BGA (CSP)); = 5 ns, 200 MHz (400 Mbps), 6 = 6 ns, 166 MHz (333 Mbps), Y = 6,7 ns, 150 MHz (300 Mbps), Z = 7,5 ns, 133 MHz (266 Mbps), 8 = 8 ns, 125 MHz (250 Mbps), 0 = 10 ns, 100 MHz (200 Mbps)). Es decir, chip de memoria Samsung de 4 Mbit*16 = 64 Mbit, SDRAM DDR de 3,3 V, tiempo de actualización 0 = 64 m/4 K
(15,6 μs), el número de filas del chip de memoria es 4 filas (dos filas en cada lado) , voltaje de interfaz LVTTL+SSTL_3(3.3V), tipo de paquete TSOP II de 66 pines, velocidad 133MHZ.
El número de chip de memoria RAMBUS DRAM de Samsung, como KM418RD8C, significa: KM significa memoria Samsung; 4 significa tipo de RAM (4=DRAM); significa tipo de producto (RD = RAMBUS DRAM directo 8 representa la densidad del chip de memoria 8 M (4 = 4 M, 8 = 8 M, 16 = 16 M) C representa el tipo de paquete (C = Micro BGA, D = Micro BGA [CSP inverso); ], W = WL-CSP); 80 representa la velocidad (60 = 600 Mbps, 80 = 800 Mbps). Es decir, Samsung 8M*18bit=144M, paquete BGA, velocidad 800Mbps.
(6) Micron (Micron)
Micron es uno de los fabricantes de memoria más conocidos del mundo (como el módulo de memoria SDRAM Micron PC143 a la derecha). el formato es: MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
Donde MT representa el producto de Micron 48 representa la familia de productos (48=SDRAM, 4=DRAM, 46=DDR SDRAM, 6=Rambus); la tecnología de procesamiento (C=5V Vcc CMOS, LC=3.3V Vdd CMOS, V=2.5V Vdd CMOS número de dispositivo (profundidad*ancho), sin letras=Bits, K=Kilobits (KB), M=Megabits ( MB), G = Gigabits (GB) Capacidad de Mricron = cd*ef; ef representa el ancho de bits de datos (4, 8, 16 y 32 representan 4, 8, 16 y 32 bits respectivamente); ] (A2 =Twr=2clk); TG representa el paquete (TG=paquete TSOPII, DJ=SOJ, DW=SOJ ancho, F=FBGA de 4 filas de 54 pines, FB=FBGA de 8*16 60 pines, FC=60); -pin 11*13 FBGA, FP = paquete de chip inverso, FQ = sello de chip inverso, F1 = FBGA de 2 filas de 62 pines, F2 = FBGA de 2 filas de 84 pines, LF = FBGA de 90 pines, LG = TQFP, R1 = micro FBGA de 2 filas de 62 pines, R2 = micro FBGA de 2 filas de 84 pines, U = μ BGA); j representa el consumo de energía (L = bajo consumo, en blanco = normal); hj representa la velocidad, dividida en las siguientes cuatro categorías:
(A), DRAM-4=40ns, -5=50ns, -6=60ns, -7=70ns SDRAM, x32 DDR SDRAM (velocidad de reloj @ CL3) -15=66MHz, -12=83MHz, -10 +=100MHz, -8x+=125MHz, -75+=133MHz, -7x+=143MHz, -65=150MHz, -6=167MHz, -55=183MHz, -5=200MHz DDR SDRAM (x4, x8, x16) velocidad de reloj @ CL=2.5, -8+=125MHz, -75+=133MHz, -7+=143MHz
(B), Rambus ( velocidad de reloj)
-4D=400MHz 40ns, -4C=400MHz 45ns, -4B=400MHz 50ns, -3C=356MHz 45ns, -3B=356MHz 50ns, -3M=300MHz 53ns+ significa que -8E admite PC66 y PC100 (CL2 y CL3) -75 admite PC66, PC100 (CL2 y CL3), PC133 (CL=3), -7 admite PC66, PC100 (CL2 y CL3), PC133 (CL2 y CL3) -7E admite PC66, PC100 (CL2 y CL3), PC133 (CL2+ y CL3)
(C), DDR SDRAM
-8 admite PC200 (CL2) -75 admite PC200 (CL2) y PC266B (CL =2.5) -7 admite PC200 (CL2), PC266B (CL2), PC266A (CL=2.5).
Por ejemplo, MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES representa la SDRAM de Micron, 16M8=16*8MB=128MB, 133MHz
(7) Otros números de chip de memoria
Memoria de NEC El número de chip, como μPD4564841G5-A80-9JF, significa: μPD4 representa el producto de NEC; 5 representa SDRAM; 64 representa la capacidad de 64 MB; 8 representa el ancho de bits de datos (4, 8, 16 y 32 representan 4 bits, 8 bits, 16 bits y 32 bits respectivamente). 2 bancos; 2 representa 2 bancos); 1 representa LVTTL (si es un chip de 16 o 32 bits, son dos bits y el segundo bit tiene un doble significado, como 1 representa 2 bancos y LVTTL, 3). representa 4 bancos y LVTTL) G5 es el paquete TSOPII -A80 representa velocidad: puede funcionar a 125 MHZ cuando CL=3, y CL se puede configurar en 2 a 100 MHZ (80 = 8 ns [125 MHz CL 3], 10 = 10 ns [); PC100 CL 3], 10B = 10 ns es más lento que 10, Tac es 7, que no cumple completamente con la especificación PC100, 12 = 12 ns, 70 = [PC133], 75 = [PC133] representa la apariencia del paquete (); NF = TSOP-II de 44 pines; JF = TSOPII de 54 pines; JH = TSOP-II de 86 pines).
El número de chip de memoria de HITACHI, como HM5264805F -B60 significa: HM representa el producto de Hitachi; 52 es el tipo SDRAM (51=EDO DRAM, 52=SDRAM representa la capacidad de 64 MB); ancho de bits de datos (40, 80 y 16 representan 4 bits, 8 bits y 16 bits respectivamente); 5F indica qué versión del kernel es (ahora está al menos "F" en blanco indica consumo de energía); (L = bajo consumo de energía, en blanco = Ordinario); TT es el paquete TSOII; B60 representa velocidad (75 = 7,5 ns [133 MHz], 80 = 8 ns [125 MHz], A60 = 10 ns [PC-100 CL2 o 3], B60 = 10ns [PC-100 CL3] es decir, CL es 3) a 100MHZ.
El formato del número del chip de memoria SIEMENS (Siemens) es: HYB39S ab cd0 e T f -gh donde ab es la capacidad, gh es la velocidad (6=166MHz, 7=143MHz, 7.5=133MHz, 8= 125MHz, 8B=100MHz [CL3], 10=100MHz [especificación PC66]).
El número de chip de memoria de TOSHIBA, como TC59S6408BFTL-80, significa: TC representa el producto de Toshiba; 59 representa SDRAM (seguido de S=SDRAM normal, R=Rambus SDRAM, W=DDR SDRAM); (64 = 64 Mb, M7 = 128 Mb); 08 representa el ancho de bits de datos (04, 08, 16 y 32 representan 4, 8, 16 y 32 bits respectivamente); Si aparece la letra L después de FT = bajo consumo de energía, en blanco = normal); 80 representa velocidad (75 = 7,5 ns [133 MHz], 80 = 8 ns [125 MHz], 10 = 10 ns [100 MHz CL = 3]).
El número de chip de memoria de IBM es IBM0316809CT3D-10, donde IBM representa el producto de IBM; 16 representa la capacidad de 16 MB; , 8 y 16 bits); C representa el consumo de energía (P=bajo consumo de energía, C=normal); 10 representa la velocidad (68=6,8 ns [147 MHz], 75 A = 7,5 NS [133 MHz], 260 o 222= 10ns [PC100 CL2 o 3], 360 o 322=10ns [PC100 CL3], en la versión B del chip de 64Mbit, la velocidad calibrada de 260 y 360 cuando CL=3 es: 135MHZ, 10=10NS [ 100 MHz]