Artículos publicados de Chen Zhiquan:
Desde 1993, *** ha publicado más de 90 artículos sobre SCI. Índice H: 16.
Algunos artículos publicados recientemente son los siguientes:
[1]X. F. Li, B. Zhao, T. Zhang, H. F. He, Q. Zhang, D. W. Yang, Z. Q. Chen*, X. F. Tang, Order-disorder Transition en clatrato Ba6Ge25 estudiado por aniquilación de positrones, Applied Surface Science, 342, 42-46 (2015)
[2]N Qi, Z. Q. Chen*, A. Uedono, Movimiento molecular y relajación por debajo de la temperatura de transición vítrea en poli. (metacrilato de metilo) estudiado mediante aniquilación de positrones. Radiation Physics & Chemistry, 108, 81-86 (2015)
[3]T Zhang, K. Zhou, X. F. Li, Z. Q. Chen*, X. L. Su y. X. F. Tang, Transición estructural de CoSb3 termoeléctrico parcialmente lleno de Ba investigada mediante espectroscopia de aniquilación de positrones. Journal of Applied Physics 117, 055103 (2015)
[4]X. Zhang y A. Kawasuso, Acumulación de daño mejorada en una película de GaN implantada con C+ estudiada mediante un haz de positrones monoenergético. Journal of Applied Physics 117, 085706 (2015)
[5]H. * , Y. Zheng, D. W. Yang y X. F. Tang, Interacción entre defectos puntuales y conductividad térmica de nanocristales de Bi2Te3 sintetizados químicamente estudiados por Positron Annihilation Journal of Physical Chemistry C 118, 22389-22394 (2014)
[6]T. Li, D. W. Liu, H. Y. Dai, H. W. Xiang, Z. P. Chen, H. F. He, Z. Q. Chen, Efecto del defecto sobre la propiedad no lineal y dieléctrica de las cerámicas Ca (1 – x) SrxCu3Ti4O12 sintetizadas mediante el proceso sol-gel. Journal of Alloys and Compounds, 599, 145-149 (2014)
[7]M Jiang, X. D. Xue, Z. Q. Chen*, Y. D. Liu, H. W. Liang,
H. J. Zhang, A. Kawasuso, Defectos y centros aceptores en ZnO introducidos por la implantación de C+, Journal of Materials Science, 49, 1994-1999 (2014)
[8]M Jiang, L. L. Liu, Z. . Wang, Z. Q. Chen*, Microestructura del compuesto ZnO-Li2CO3 estudiado mediante espectroscopia de aniquilación de positrones Physca Status Solidi (a) 211, 206-212 (2014)
[9]Z. Chen*, Dispersión monocapa de CoO sobre Al2O3 sondada por átomo de positronio, Applied Surface Science, 293, 326-331 (2014)
[10]B. Evolución de la microestructura de la aleación AA5083 Al-Mg estudiada mediante espectroscopia de aniquilación de positrones, Applied Surface Science, 296, 154-157 (2014)
[11]B. Chen, complejos Vacancy-Mg y su evolución en las primeras etapas del envejecimiento de aleaciones basadas en Al-Mg, Applied Surface Science, 298, 50-55 (2014)
[12]D. M. Jiang, Z. Q. Chen*, Defectos versus efectos del tamaño de grano en el ferromagnetismo de nanocristales de ZrO2 clarificados por aniquilación de positrones, Applied Physics Letters, 102, 042407 (2013).
[13]M Jiang, D. D. Wang, Z. Q. Chen*, S. Kimura, Y. Yamashita, A. Mori y A. Uedono, Efecto químico de los iones Si+ sobre los defectos inducidos por la implantación en ZnO estudiados por un haz de positrones lento, Journal of Applied Physics, 113, 043506 (2013)
[14]C. Y. Li, H. J. Zhang, Z. Q. Chen*, Reacción entre NiO y Al2O3 en catalizadores NiO/r-Al2O3 sondeados por átomo de positronio, Applied Surface Science, 266, 17-21 (2013)<
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[15]Qi Ning, Jia Yan-Lin, Liu Hui-Qun, Yi Dan-Qing, Z. Q. Chen*, Evolución de defectos en aleaciones deformadas de Cu-Ni-Si durante el recocido isócrono estudiado mediante aniquilación de positrones, Chinese Physics Letters, 29, 127803 (2012)
[16]H. J. Zhang, Z. Q. Chen* y S. J. Wang, Dispersión monocapa de NiO en catalizadores de NiO/Al2O3 probados por átomo de positronio, Journal of Chemical Physics, 136, 034701 (2012)
[17]M. Jiang, D. D. Wang, B. Zou, Z. Q. Chen*, A. Kawasuso y T. Sekiguchi, Efecto del recocido a alta temperatura sobre defectos y propiedades ópticas de monocristales de ZnO, Phys. Status Solidi A 11, 2126 (2012)
[18]Zhi-Yuan Chen, Z. Q. Chen*, B. Zou, X. G. Zhao, Z. Tang y S. J. Wang, Ferromagnetismo mediado por defectos en nanocristales de ZnO dopados con Ni evidenciado por espectroscopia de aniquilación de positrones, Journal of Applied Physics, 112, 083905 (2012)
[19]D. Wang, Z. Q. Chen*, C. Y. Li, X. F. Li, C. Y. Cao, Z. Tang, Correlación entre ferromagnetismo y defectos en nanocristales de MgO estudiados mediante aniquilación de positrones, Physica B: Condensed Matter, 407, 2665-2669 (2012) (otra cita)
[20]S. , Z. Q. Chen*, H. J. Zhang, Aniquilación de tres gamma de ortopositronio en catalizadores de NiO/γ-Al2O3 detectada mediante mediciones de ensanchamiento Doppler de vida útil de positrones y coincidencia, Radiation Physics and Chemistry, 81, 791-795 (2012)
[21]Zhang Hong-Jun, Liu Zhe-Wen, Z. Q. Chen*, S. J. Wang, Extinción química de positronio en catalizadores de CuO/Al2O3, Cartas de física china, 28, 0178
02 (2011)
[22]Qi Ning, Wang Yuan-Wei, Wang Dong, Wang Dan-Dan, Z. Q. Chen*, Estudio de aniquilación de positrones de la microestructura de nanocristales de ZnO dopados con Co, Acta Phys. 60, 107805 (2011)) (citado 2 veces)
[23]Zhi-Yuan Chen, Z. Q. Chen*, D. D. Wang, S. J. Wang, Correlación entre defectos interfaciales y ferromagnetismo de nanocristales de BaTiO3 estudiados por positrones. aniquilación, Applied Surface Science, 258, 19-23 (2011) (citado 4 veces)
[24]Dong Wang, Z. Q. Chen*, D. D. Wang, J. Gong, C.Y. L.R. Huang, Efecto del recocido térmico en la estructura y el magnetismo de nanocristales de ZnO dopados con Fe sintetizados por reacción en estado sólido, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 322, 3642-3647 (2010) (citó 7 veces)
[25]C. Li, H.J. Zhang, Z. Q. Chen*, Extinción química de positronio en catalizadores de Fe2O3/Al2O3, Applied Surface Science, 256, 6801-6804 (2010)
[26] H. J. Zhang , Z. Q. Chen*, S. J. Wang, A. Kawasuso y N. Morishita, Conversión por giro de positronio en catalizadores de NiO/Al2O3 observada mediante la técnica de ampliación Doppler por coincidencia, Phys. Rev. B 82, 035439 (2010)
[27]D. Wang, Z. Q. Chen*, D. D. Wang, N. Qi, J. Gong, C. Y. Cao y Z. Tang, Estudio de aniquilación de positrones de los defectos interfaciales en nanocristales de ZnO: correlación con el ferromagnetismo, J. Appl. 107, 023524 (2010) (citado 25 veces)
[28]D Wang, Z. Q. Chen*, F. Zhou, W. Lu, M. Maekawa, A. Kawasuso, Ferromagnetismo y microestructura. ZnO implantado con Fe+, Applied Surface Science, 255, 9371-9375 (2009) (3 citas suyas)
[29]Z. Q. Chen, K. Betsuyaku, A. Kawasuso, Defectos de vacancia en ZnO irradiado con electrones estudiados mediante ampliación Doppler de la radiación de aniquilación, Phys. B 77, 113204 (2008) (citado por él) 16 veces)
[30]Z. Q. Chen, M. Maekawa, A. Kawasuso y H. Naramoto, Dependencia de especies de iones de los defectos inducidos por implantación en ZnO estudiados por un haz de positrones lento, Phys. Stat . Sol. (c) 4, 3646 (2007) (citado 1 vez)
[31]X. puntos cuánticos InAs organizados medidos por un haz de positrones lento, Appl. Lett 91, 093510 (2007) (citado 4 veces)
[32]Z. , H. Naramoto, X. L. Yuan y T. Sekiguchi, Evolución térmica de defectos en ZnO irradiado con electrones y crecido estudiado mediante aniquilación de positrones, Phys. B 75, 245206 (2007) (37 citas) p>
[33]Z. Q. Chen, A. Kawasuso, Defectos de tipo vacante inducidos por implantación de He en ZnO estudiados por un haz de positrones lento, Acta Phys. 55, 4353 (2006) (citado 1 vez) p>
[34]Z. Chen, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Sakai y H. Naramoto, Proceso de recocido de defectos inducidos por implantación de iones en ZnO: efecto químico de las especies de iones, J. Phys. 99, 093507 (2006) (33 citas)
[35]Z. Chen, M. Maekawa, A. Kawasuso Estudio de haz de positrones lento variable de energía de defectos inducidos por implantación de Li+ en ZnO, chino. Physics Letters, 23, 675 (2006) (citado 3 veces por él)
[36]Z. Chen, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Sakai y H. Naramoto, Electron Irradiation Induced Defects. en ZnO
Estudiado por Positron Annihilation, Physica B 376-377, 722 (2006) (citado 12 veces)
[37]Z. Chen, M. Maekawa, A. Kawasuso, R. Suzuki y T. Ohdaira, Interacción del nitrógeno con defectos de vacancia en ZnO implantado con N+ estudiado mediante un haz de positrones lento Appl 87, 091910 (2005)
[38]Z. , Y. Xu, H. Naramoto, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki y T. Ohdaira, Formación de microhuecos en ZnO implantado con hidrógeno sondado por un haz de positrones lento Rev. B71, 115213 (2005) ( 54 citas suyas)
[39]Z. Q. Chen, S. Yamamoto, A. Kawasuso, Y. Xu y T. Sekiguchi, Caracterización de películas de ZnO homoepitaxiales y heteroepitaxiales cultivadas mediante deposición con láser pulsado. Surf. Sci. 244, 377 (2005) (14 citas)
[40]Z. Chen, A. Kawasuso, Y. Xu, H. Naramoto, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki. y T. Ohdaira, Producción y recuperación de defectos en fósforo implantado en ZnO. J. Appl 97, 013528 (2005) (citado 93 veces)
[41]Z. S. Yamamoto, A. Kawasuso, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki y T. Ohdaira, Evolución de huecos en ZnO implantado con Al+ sondeados por un haz de positrones lento Rev. B69, 035210 (2004) ( 56 citas)
[42]Z. Chen, M. Maekawa, T. Sekiguchi, R. Suzuki y A. Kawasuso, Defectos inducidos por implantación de iones en ZnO estudiados por un haz lento de positrones. Vol.445-446, 57(2004) (citado 3 veces)
[43]Z. Q. Chen, T. Sekiguchi, X. L. Yuan, M. Maekawa y A. Kawasuso, Defectos inducidos por implantación de iones N+ en ZnO estudiado por lento
haz de positrones. J.Phys.:Condens.Matter, 16, S293(2004) (citado 16 veces)
[44]Z Q. Chen, S. Yamamoto, M. Maekawa, A. Kawasuso, X. L. Yuan. y T. Sekiguchi, Recocido poscrecimiento de defectos en ZnO estudiado por aniquilación de positrones, difracción de rayos X, retrodispersión de Rutherford, catodoluminiscencia y mediciones de Hall 94, 4807 (2003) (citó 101 veces) p. >
[45]Z. Q. Chen, A. Uedono, T. Suzuki y J.S. He, Estudio de aniquilación de positrones de huecos de volumen libre en polímeros y mezclas de polímeros. 2, 291-294(2003)(citó 6 veces)